Структура и электрофизические свойства сверхпроводящих твердых растворов BaPb/1-x/ BixO3

Тип работы:
Диссертация
Предмет:
Физико-математические науки
Страниц:
146
Узнать стоимость новой

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

Открытое в I9II году явление сверхпроводимости до настоящего времени остается одним из наиболее удивительных известных физических феноменов природы. Не удивительно, что микроскопическая теория сверхпроводимости, объяснившая приндипи-. альные особенности сверхпроводящего состояния и ставшая классической — теория Бардина, Купера и Шриффера появилась лишь в 1957 году, т. е. более чем через 40 лет после экспериментального открытия явления. Практическое применение сверхпроводимости начинается с шестидесятых годов после открытия сверхпроводящих материалов с высокими критическими параметрами. Сверхпроводниковые материалы находятся вне конкуренции при создании уникальных магнитных систем, используемых в науке, энергетике, транспорте, медицине и других прикладных областях / I, 2/. Наряду с этим все более широкое применение в самых различных областях науки и техники находят элементы и устройства, использующие & quot-слаботочные"- эффекты в сверхпроводниках. Разработаны высокодобротные резонансные системы сверхвысокочастот-иого диапазона, использующиеаффективное снижение поверхностного сопротивления проводника в сверхпроводящем состоянии / 3, 4 /. Резкое изменение свойств проводящего материала при переключении из сверхпроводящего состояния в несверхпроводящее используется для создания выключателей, управляемых СВЧ атенюаторов и ограничителей /4/.

Изучение слабосвязанных систем сверхпроводников — так называемых даозефсоновских переходов, привело к быстрому развитию нового прикладного направления — сверхпроводниковой квантовой электроники /5/. Перспективными являются одномерные последовательности или двумерные решетки джозефсоновских туннельных переходов и мостиков, однако в этом направлении имеются трудности технологического характера, поскольку характерные размеры джозефсоновских переходов в этом случае составляют доли микрона /3/,

Следует отметить, что в настоящее время главенствующее положение в сверхпроводниковом материаловедении все ещё занимают металлические сплавы и соединения на основе ниобия /6/. Наряду с этим в последние года широким фронтом ведется поиск новых материалов с более высокими критическими параметрами и ю свойствами, позволящими расширить функциональные возможности сверхпроводниковых устройств.

В этом аспекте в настоящее время все возрастающий интерес вызывает система твердых растворов Ba. PbhXBixClB {BPS), сверхпроводимость которой обнаружил в 1974 году Слейт /7,8/.

ВРВ является первым высокотемпературным сверхпроводником с критической температурой порядка 12 К, не содержащим атомов переходных элементов. Интерес к этому материалу обусловлен несколькими аспектами. Во-первых, — это проблема возникновения высокотемпературной сверхпроводимости в материалах с малой плотностью носителей тока /9−11/. Во-вторых, в этих материалах не исключено сосуществование сверхпроводящего состояния и полярного (антиполярного- дипольного упорядочения, что представляет значительный научный и практический интерес /12,13/. В-третьих, — керамические образцы ВРВ можно рассматривать как систему слабо, связанных сверхпроводников — аналогом гранулярных сверхпроводников /14/, в которых наблюдается когерентное, с одинаковыми значениями критического тока, переключение большого числа соединенных последовательно даозефсонов-ских переходов /15,16/. С точки зрения применений следует отметить стойкость^& quot- к длительным термическим нагрузкам до 800& deg-С в воздушной атмосфере /17/, высокое удельное сопротивле-ление в несверхпроводящем состоянии /18/, а также возможность создания элементов нового типа для криоэлектроники /19−21/.

Исследованиям ВРВ посвящено сравнительно много работ, опубликованных в основном за последние 5 лет, однако их результаты и выводы все ещё не дают возможности полностью понять природу сверхпроводимости этого материала /18,22,23/, что в значительной степени затрудняет дальнейшее целенаправленное улучшение физических параметров ВРВ в прикладных задачах.

Исследования структуры ВРВ проводились в основном при комнатной температуре, а результаты различных работ противоречивы /7,13,24−26/. Последнее объясняется как недостаточной точностью применяемых методик исследования, требующего ввиду незначительного искажения псевдокубической ячейки ВРВ особо тщательного подхода, так и несовершенством и неоднофазностью исследованных образцов. Подавляющее большинство исследований проведено на керамических образцах поскольку, проблема получения качественных и достаточно больших монокрисТаллов в. настоящее время еще далека от своего решения /13,27−29/.

Известно, что межкристаллитные. границы влияют на явления переноса заряда и критические параметры, однако более глубокое изучение этой взаимосвязи в ВРВ отсутствует /18,23,30/. Недостаточно изучено влияние различных внешних воздействий, в том числе гидростатического давления /31−33/ и дефектов по кислороду /34,35/ на электрофизические свойства ВРВ. Отсутствуют данные о поверхностном сопротивлении в переменном электрическом поле.

Следует прийти к выводу, что появилась необходимость комплексного исследования керамики ВРВ контролируемого качества. Получение качественных образцов керамики указанного состава — трудная технологическая задача. Отметим, что многие известные из литературы результаты получены на образцах, содержащих микронеоднородности с отличающихся содержанием компонент ВаР603 и BaBiD3 /36/, с плохо сформированной керамической структурой /23,37/, обладающих большой пористостью /10,38,39/. Важной задачей является исследование кристаллографических свойств ВРВ, желательно при помощи методики, хорошо апробированной при изучении других систем твердых растворов со структурой перовскита. Это может позволить на микроскопическом уровне понять причину происхождения максимума критической температуры в ряду твердых растворов ВРВ /Ю, II/ и дать рекомендации о возможностях ее повышения. Исследование влияния различных внешних воздействий (давления, восстановления в вакууме, легирования) может способствовать развитию и уточнению имеющихся представлений о влиянии межкристаллитных границ на параметры сверхпроводящего состояния, выявить физическую причину нежелательных эффектов, подавляющих сверхпроводимость, и наметить пути целеноправленного изменения свойств

ВРВ.

Учитывая вышеизложенные соображения, была сформулирована следующая основная задача настоящей диссертационной работы: провести исследование взаймосвязи структурных особенностей и электрофизических свойств сверхпроводящей керамики ВРВ

Решение поставленной задачи включало в себя несколько этапов.

1. Определение технологических факторов, влияющих на сверхпроводниковые параметры керамики ВРВ

2. Разработка оптимальной технологии и получение качественной керамики ВРВ.

3. Исследование кристаллографических свойств сверхпроводящей керамики ВРВ.

4. Исследование электрофизических характеристик.

5. Исследование влияния внешних воздействий на сверхпроводниковые параметры керамики ВРВ.

6. Разработка рекомендаций по использованию полученных результатов.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы.

5.3. Выводы

I. Твердые растворы BaPbt-*Vb*Os (х^ 0,30) не переходят в сверхпроводящее состояние до 4,2 К. Твердые растворы & amp-а Р6/-х №> xOj (X^i 0,30) имеют при комнатной температуре удельное сопротивление порядка IQ ом"м и температурный коэффициент сопротивления Н& gt- 4 3-|0~^град. ~^, что делает их перспективным резистивным материалом.

2. Легирование твердых растворов ВРВ оксидом германия количеством до 2 вес.% повьшщет удельное сопротивление в несверхпроводящем состоянии на два порядка при незначительном понижении критической температуры. ф

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей работе проведено исследование кристаллографических и электрофизических свойств сверхпроводящей керамики ВаРЬ/-л& (х0з. Кратко суммируем основные результаты проведенных исследований.

Г- Разработана технология получения однофазной сверхпроводящей керамики Век Рб/~хВ< *Оз (X? 0,40) с шириной перехода в сверхпроводящее состояние л Т& lt- ], 4 К.

2. Показано, что сверхпроводящие твердые растворы BaPbt-*BixO} характеризуются моноклинным искажением элементарной ячейки ниже температуры размытого структурного фазового перехода в кубическую модификацию.

3. Немонотонная (с максимумом) концентрационная зависимость критической температуры Т/с в твердых растворах &o. Pbh*BuQ} коррелирует с величиной искажения и степенью упорядочения низкотемпературной (моноклинной) фазы. Максимальная Тк = 10,74 К для состава X =0,25 обуславливается наибольшей близостью структуры к кубической (минимум моноклинного угла fi) и максимальной степенью упорядочения ионов РЬ и Bi в перовскитной структуре, А В Оз.

4. Имеет место диэлектризация межкристаллитных слоев керамики Ь< ����������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������

�����������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������

��������������������������������������������������������������������������

����������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������

����������������������������������������������������������������������������������������������������������

������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������

�������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������

��ор также пользуется приятной возможностью выразить глубокую признательность химикам технологам Отдела синтеза сегне-элэлектрических материалов М. Ж. Калнберга и А. И. Калване за предоставление высококачественной сверхпроводящей керамики.

Показать Свернуть

Содержание

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Сверхпроводящие керамические материалы

1.2. Основные особенности технологии изготовления твердых растворов ВРВ

1.3. Кристаллографические свойства твердых растворов ВРВ

1.4. Особенности сверхпроводящего состояния в ВРВ

1.5. Явления переноса.

1.6. Влияние давления

1.7. Оптические свойства.

1.8. Диэлектризация электронного спектра.

1.9. Влияние изоморфного замещения ионов.

1. 10. Энергетическая зонная структура твердых растворов

1. 11. Природа сверхпроводимости ВРВ

1. 12. Применения твердых растворов ВРВ

1. 13. Выводы по обзору литературы и формулировка цели работы.

2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ.

2.1. Объекты исследований

2.2. Методика рентгеноструктурных исследований

2.3. Методика измерений электрофизических характеристик

2.3.1. Измерение удельного сопротивления и определение критической температуры

2.3.2. Измерение поверхностного сопротивления

2.3.3. Определение концентрации носителей тока.4.

2.4. Методика восстановления в вакууме

2.5. Методика измерения электрофизических характеристик при воздействии гидростатического давления

2.6. Технология получения керамики ВРВ

2.7. Выводы

3. КРЙСТАЛЛОГРАФИЧЕСЖИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ВРВ 82 3.1. Выводы.

4. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ.

4.1. Удельное сопротивление керамики ВРВ

4.2. Критическая температура керамики ВРВ

4.3. Влияние восстановления в вакууме на электрофизические свойства ВРВ

4.4. Влияние гидростатического давления на электрофизические свойства твердых растворов ВРВ

4.5. Поверхностное сопротивление керамики ВРВ

4.6. Рекомендации по применению результатов, изложенных в главе 4.

4.7. Выводы.

6. НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ ВРВ

5.1. Твердые растворы ВаРЬ^^О^

5.2. Влияние легирования ВРВ оксидом германия

5.3. Выводы

Список литературы

1. Вонсовский С. В., Изюмов Ю. А., Курмаев 3.3. Сверхпроводимость переходных металлов, их сплавов и соединений. М., 1−977, 384с.

2. Дмитренко И. М. В мире сверхпроводимости. Киев,"Наукова думка& quot-, 1981,'256 с. •

3. Волков А. Ф., Заварицкий Н. В., Надь & amp-.Я. Электронные устройства на основе слабосвязанных сверхпроводников. М., & quot-Советское радио& quot-, 1978, 168 с.

4. Вендик О. Г., Козырев А. Б. Сверхпроводниковые пленки в СВЧ микроэлектронике.- Изв. высших учебных заведений СССР, Радиоэлектроника, 1983, т. 26, МО, с. 18−28.

5. Асламазов Л. Г., Губанков В. Н. Слабая сверхпроводимость. -М., & quot-Знание"-, 1984, 64 с.

6. Fujii G. Present Practices in Japan for the Measurement and Definition of varios superconducting Parameters.- Technical Report of ISSP, 1980, ser. A, No. 1063, p. 1−64.

7. SIeight A.W., Gillson J.L., Bierstedt P.E. High Temperature Superconductivity in the Bet PbhxBifls System. Solid State Commun., 1975, vol. 17, No. I, p. 27−28.

8. U.S. Patent No.^. 932. 315. Sleight A.W. Superconductive Barium-Lead-Bismuth Oxides, 1974.

9. Коэн M., Гладстоун Г., Йенсен M., Шриффер Дк. Сверхпроводимость полупроводников и переходных металлов. М., & quot-Мир"-, 1972, 306 с.

10. Thanh T.D., Кота A., Tanaka S. Superconductivity in the

11. ВаРЬ BiD System* Appl. Phys., 1980, vol. 22, p. 205−2121.Х X 3

12. Моисеев Д. П., Уварова С. К., Феник М. Б. ЭДС Холла и проводимость в сверхпроводящей окисной системе ВаРЬ^-ВаВ/Оъ. -& pound-из. твердого тела, 1981, т. 23, вып. 8, с. 2347−2351.

13. Jurkevich V.E., Rolov B.N., Stanley Н.Е. Superconductivity in ordening Systems. Chech. J. Phys. B, 1978, vol. 28, Ho. 8," p. 241−247.

14. Богатко В. В., Веневцев Ю. Н. Твердые растворы системы ВаРЬОъ -ВаВШ3. Известия А Н СССР, Неорганические материалы, 1984, т. 20, вып. I,-с. 127−133.

15. Warman J., Jahn М.Т., Као Y.H. Josephson Effects in a Bulk Granular Superconductor. J. Appl. Phys., 1971, vol. 42, No. 12, p. 5194−5196.

16. Enomoto I., Suzuki M., Murakami Т., Inukai Т., Inamura T. Observation of Grain Bondary Josephson Current in

17. ВаРЬ01 В (0,ъО$ Films. Jap. J. Appl. Phys., 1981, vol. 20, No. 9, p"1661−1664.

18. Белоус H.A., Габович A.M., Лежненко И. В. и др. Множественное туннелирование в трехмерной гранулярной системе

19. Ва PbhxBcxО3. Письма в ЖЗТ& reg-, IS82, Т. 8, вып. 17, с. 1075−107

20. Gilbert L.R., Messier R., Roy R. Bulk Crystalline BaP^Bit/fiy a Ceramic Superconductor. Mater. Res. Bulletin, 1982, vol. 17, Wo. 4, p. 467−472.

21. Tanaka S., Kitazava K., Tani S. Mechanism of Superconduc-t ivity of BaPbhtBc%0z. Annual Reports of Engeneer Res. Inst., Faculty Engeneering, University Tokyo, 1982, vol. 41, p. 151−139.

22. Ito M., Enomoto I., Suzuki M., Murakami Т., Inamura T. Hysteresis Loop in Current-Voltege Curve for & aP607Bia303

23. Josephson Junction Array in a Microwave Field. Jap. J. Appl. Phys., 1982, vol. 21, Ho. 6, p. L375-L376.

24. Enomoto I., Suzuki M., Murakami Т., Inamura T. New Pheno-men in Grain Bondary Josephson Junction Networks of BaPbojBitfOs Films. Jap. J. Appl. Phys., 1983, vol. 21, No. 6, p. L384-L386.

25. It о M., Enomoto Y., Murakami T. Highly sensitive Photo-detection using a Microwave-coupled ВаРЬ0/78{0)ЪОъ Joseph-son Junction Array. Appl. Phys. Letters, 1983, vol. 4−3, N0. 3, p. 314−317.

26. Mattheis L.P., Hamann D.R. Electronic Structure of

27. Ва. РЬ,.ВсхОъ. Phys. Rev., 1983, vol. 28, No. 8, p. 4227−4-241.

28. Зайцев-Зотов С.В., Протасов Е. А. Особенности низкотемпературной проводимости сверхпроводящей керамики Ва P6/. KB (KD3f связанные с гранулярной структурой. & reg-из. твердого тела, 1. 84, т. 26, вып. 5, с. 1374−1381.

29. Сох D.E., Sleight A.W. Structural Studies of the BaP6/. xBijp5

30. System. Proceedings of the Conference on Neutron Scattering, Gathlinburg, USA, 1976, Pfc. I, p. 45−54.

31. Khan I., Nahm K., Rosenberg M., Willner H. SuperconductiОvity and Semiconductor-Metall Phase Transition in the System? cLP6,-x8ix02. Phys. status solidi, a, 1977, vol. 39, No. I, p. 79−88-r

32. Cox D.E., Sleight A.W. Mixed-Valent Ва^ВГВ^е,. Structure and Properties vs Temperature. Acta Crystallogr., 1979, vol. B35-, p. I-IO.

33. Katsui A., Suzuki M. Single Crystal Growth of Ba (Pb, Bt)03 from molten KC1 Solvent. Jap. J. Appl. Phys., 1982, vol. 21, No. 3, P. LI57-LI58.

34. Katsui A. Single Crystal Growth of superconducting

35. BclPL,^BiK03 from PbOz -BizOb -BaPhOz Solution. Jap. J. Appl. Phys. (Letters), 1982, vol. 21, N0. 9, P. L553-L554.

36. Remeika J.P., Batlogg В., Di Salvo P., Bar2 H. Transport and Magnetic Properties of Single Crystal BaPhhKBixOz • -Bulletin of Amer. Phys. Soc., 1982, vol. 27, N0. 3, p. 318.

37. Lin Т.Н., Shao X.Y., Wu M.K., Ног P.H., Jin X.C., Ghu C.W. Observation of a reentrant superconducting resistive Transition in Granular Ba РЬ0/?ГBlozs05 Superconductor. Phys. Rev. B, 1984, vol. 29, N0. 3, p. 1493−14−96.

38. Chu C. W, Huang S., Sleight A.W., Hydrostatic Pressure Effect on Tc ^¦& CiogK6i, PbmBio^b ' «S0l±d State °°m» 1976, vol. 18, N0. 8, p. 977−979.

39. Clark I.В., Dachille Б1., Roy R. Resistance Measurements of High Pressure in the System PbhxBiAOb. Solid State Commun., 1976, vol. 19, No. 9, p. 989−991″

40. Wu K.M., Meng B.L., Huang S.Z., Chu C.W. Superconductivity in Ba Pbt, xPi))(D5 near the Metal-Semiconductor Phase Boundary under Pressure. Phys. Rev. B, 1981, vol. 24, N0. 7, p. 4073−4078.

41. Менушенков А. П., Протасов E.A., Чубунова E.B. Влияние содержания кислорода на сверхпроводящие свойства

42. Ва. РЬ,. %Всж03. Шиз. твердого тела, 1981, т. 23, вып. 12, с. 3703−3705.

43. Моисеев Д. П., Прихотько А. Ш., Уварова С. К. О влиянии кислорода на сверхпроводимость керамики ВаРЬ,. %ВСх0ъ -Украинский физ. ж., 1982, т. 27, № 9, с. 1427−1429.

44. Methfessel G., Methfessel S. The irregular Superconductivity of Bcl PbhxBiA05. In: «Superconductivity in d- and f-Band Metals», Karlsruhe, 1982, p. 393−399.

45. Моисеев Д. П., Уварова С. К. Микроструктура и сверхпроводимость твердых растворов ВаРЬ^В^. Известия А Н СССР, Неорганические материалы, 1981, т. 17, F9, с. 1685−1688.

46. Tani Т., Itoh 0?., Tanaka S. Seebeck Effect in Superconducting ВаРЬ-хВ^Оъ. J. Phys. Soc. Japan, 1980, vol. 4−9, Supplement A, ji. 309- 312.

47. Schooley J.F., Frederikse H.P., Hosier W.R., Pfeifer E.P. Superconductive Properties of Ceramic Mixed Titanates. -Phys. Rev., 1967, vol. 159, No. 2, p. 301−305.

48. Халм «LyX., Кюнцлер дн:., Маттиас Б. Путь к сверхпроводящим материалам. В кн.: & quot-Физика за рубежом& quot-, М. ,"Мир», 1982.

49. Fisher R., Chevrel Phases: supercondi/cting and normal State Properties. Appl. Phys., 1978, vol. 16, No. I, p. 28−33.

50. Chevrel R., Potel M., Sergent M., Prigent J. Ternary Molybdenum Ghalcogenides: a new large Family of Cluster Ternary Supercondustors. Ann. Chim. Fr., 1982, vol. 7, No. 2/3, p. 92-I08-r

51. Meul H.W., Decroux M., Odermatt R., Noer R., Fisher R. Transport Properties and the Nature of the low Temperature Phase of EuM0Ss. Phys. Rev. B, 1982, vol. 26, p. 6431−6437.

52. Johnston D.C., Prakash H., Zachariasen W.H. High Temperature Superconductivity in the Li-Ti-0 Ternary System. -Mat. Res. Bulletin, 1973, vol. 8, p. 777−784.

53. Inukai Т., Murakami Т., Inamura T. Li-Ti-0 Superconducting Compounds prepared by Hcrb-pressing. JaP* J* Appl. Phys., 1981, vol. 20, No. 9, p. L264-L266.

54. Inukai Т., Murakami Т., Inamura T. Aging Effects of Li-Ti-0 Superconducting Compounds. Jap. J. Appl. Phys., 1981, vol. 20, Ho. 9, P. L68I-L682.

55. Inukai Т., Murakami Т., Inamura T. Preparation of Superconducting Li Ti?0^ thin Films. Thin Solid Films, 1982, vol. 94, No. I, p. 47−50.

56. Gilbert L.R., Messier R., Roy R. Superconducting

57. Ba Pb,.x BixDz Ceramic Films prepared by R.F. Sputtering. -Thin Solid Films, 1978, vol. 54, p. 129−136.

58. Протасов E.A., Зайцев-Зотов С.В., Веневцев Ю. Н., Богат-ко В. В. Сверхпроводимость в окисной системе Ва, РЬ,. хВ^Оъ. -Физ. твердого тела, 1978, т. 20, вып. II, с. 3503−3505.

59. Габович A.M., Гаврилюк JI.B., Моисеев Д. П. и др. Сверхпроводимость и диэлектризация полуметаллических систем. -Украинский физ. ж., 1979, т. 24,№ 5, с. 674−681.

60. Марченко Л. С., Моисеев Д. П., Музалевский S.A., Уварова С. К. Сверхпроводимость твердых растворов

61. Известия А Н СССР, Неорганические материалы, 1979, т. 15, вып. 10, с. 1893−1894.

62. Богатко В. В., Веневцев Ю. Н. Сверхпроводимость Ba. PbOs. -Физ. твердого тела, 1980, т. 22, вып. 4, с. 1211−1212.

63. Suzuki M., Murakami Т., Inamura Т. Superconductivity in

64. Ba,. xSrxP60? s. &с0г?Оъ. Jap. J. Appl. phys., 1980, vol. 19, No. 2, p. L72-L74.

65. Шуваева E.T., ёесенко Е. Г. Синтез и структурные исследования некоторых висмутсодержащих перовскитов. Кристаллография, 1969, т. 14, 'вып. 6, с. 1066−1067.

66. Sholder R., Ganter K.W., Glasser Н., Merz G. ttber Alkali und Erdkalioxobismutate. Z. anorg. allg. Chem., 1963″ Bd. 5I9, p. 375−386. •

67. Шевчук А. В. Пьезоэлектрики со структурой перовскита и сил-ленита в бинарных системах 8iz03 -МеО (где Не = Мд, Ва) •

68. В кн.: & quot-Тезисы докладов 2-ой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов& quot-, Звенигород, 1983, с. 294.

69. Inamura Т., Murakami 0?., Inukai Т., Enomoto Y., Suzuki M. New Materials for Josephson Junction Devices. Jap. J. Appl. Phys., 1982, vol. 21, suppl. I, p. 313−318.

70. Suzuki M., Enomoto Y., Murakami Т., Inamura T. Preparation and Properties of Superconducting Ba Pb,.K thin Films by Sputtering. J. Appl. Phys., 1982, vol. 53,1. N0. 3, p. 1622−1630.

71. Hidaka Y., Suzuki M., Murakami Т., Inamura T. Effect of a Lead Oxide annealing Atmosphere on the Superconducting

72. Properties of Ва P6D7 Bi0t3Q3 sputtered Films. Thin Solid Films, 1983, vol. 106, No. 4, p. 311−319.

73. Зайцев-Зотов С.В., Ыартынюк А. Н., Протасов Е. А. Сверхпроводимость пленок BaPb, xBix03, полученных методом лазерного напыления. шиз. твердого тела, 1983, т. 25, вып. 1, с. 184−189.

74. Сох D.E., Sleight A.W. Crystal Structure of ВагВГвг& euro-6 Solid State Commun., 1976, vol. 19, p. 969−973.

75. Никифоров JI.Г., Климов В. В., Веневцев Ю. Н. Новый висмутсодержащий перовскит и некоторые данные о его свойствах. -Злектронная техника, сер. 14. Материален, I96S, вып. 1, с. 4−5.

76. Шуваева Е. Т., & copy-есенко Е. Г. Синтез и рентгеноструктурное исследование перовскитов Ba. PbD3 и SrP603. Кристаллография, 1970, т. 15, вып. 2, с. 379−380.

77. Shannon R.D., Bierstedt Р.Е. Single-Crystal Growth and electrical Properties of BaPb03. J. Amer. Ceramic Society, 1970, vol. 53, No. II, p. 653−654.

78. Arpe R., MUller-Bushbaum H. Ein Beitrag zur Kristallchemie von BaBify. Z. anorg. allg. Chem., 1977, Bd. 434, p. 73−77.

79. Nakamura Т., Kose S. Paramagnetism and Semiconductivity in a triclinic Perovskite BaBi03. J. Phys. Sos. Japan, 1971″ vol. 31, No. 4, p. 1284.

80. Hebard A.F., Vandenberg J.M. Role of Clusters in the Approach to Localization of Josephson-coupled granular Lead Films. Phys. Rev. Letters, 1980, vol. 44, No. I, p. 50−53.

81. Simanek E. Origin of the Resistivity Minima in granular Superconductors. Phys. Rev. B, 1982, vol. 25, p. 237−244.

82. Suzuki M., Murakami Т., Enomoto Y., Inamura Т. Temperature Dependence of Maximum DC Josephson Current through Grain Boundary Junctions in Ba Films. -Jap. J. Appl. Phys., 1982, vol. 21, No. 7, P. L437-L439.

83. Зайцев-Зотов С.В., Протасов Е. А., Чуркин О. А. Аномальное магнитосопротивление в BaPbo^s-Bio^s^. Шиз. твердого тела, 1982, т. 24, вып. 8, с. 2488−2490.

84. Methfessel С.Е., Stewart G.R., Matthias В.Т., Patel K.N. Why is there no Bulk specific Heat Anomaly at the superconducting Transition Temperature of Ba. Pbj-x. B^O^? Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 1980, vol. 77, No. II, p. 6307-&308.

85. Soto M., Fuji shit a H. Specific Heat Anomaly of Ba Pb, xBixOs at the superconducting Transition. J. Phys. C: Solid State Phys., 1983, vol. 16, p. L4I7-L42I.

86. Габович A.M., Шпигель А. С. Теплоемкость сверхпроводниковс волнами зарядовой и спиновой плотности. / Препринт Института физики АН УССР, Киев, 1984.

87. Габович A.M., Моисеев Д. П., Проканович JI.В., Уварова С. К., Ячменев В. Е. Экспериментальное доказательство объемнойсверхпроводимости в перовскитной системе ВаРЬ^ВС^О^. -Ж. эксперт и теорет. физики, 1984, т. 86. вып. 5, с. 1727−1733

88. Моисеев Д. П. Сверхпроводимость твердых растворов соединений содержащих элементы J? группы. Автореферат канд. дисс., 1984, Киев.

89. Попова С. В., Бенделиани Н. А. Высокие давления. М., 1974, 168 с.

90. De Hair J. Th.W., Blasse G. Determination of the Valence State of Bismuth in by Infrared Spectroscopy.

91. Solid State Commun., 1973″ vol. 12, No. 7, p. 727−729.

92. Tajima S., Kitazawa K., Tanaka S. Effective Mass of Electrons in BaP6/. xBix0b. Solid State commun., 1983, vol. 47, No. 8, p. 659−661.

93. Габович A.M., Моисеев Д. П., Шпигель А. С. Термодинамические свойства' сверхпроводящей керамики Ва Pbt-xBixd2. -Препринт Института физики АН УССР, № 10, 1981, Киев.

94. Габович A.M., Моисеев Д. П., Шпигель А. С. Природа сверхпроводимости в твердых растворахВаРЬ^ВсО^ со структурой перовскита. Роль,' диэлектризации электронного спектра. Ж. экспер. и теорет. физики, 1982, т. 83, вып. 4(10), с. 1382−1388.

95. Gabovich A.M., Moiseev D.P., Shpigel A.S. Thermodynamic Properties of Superconducting Ceramics В (хРЬ/. кВСхОъ" -J. Phys. C, 1982, vol. 15, p. L569-L572.

96. Bilbro G., McMillan W.L. Theoretical Model of Superconductivity and the Martensitic Transformation in A-I5 Compounds. Phys. Rev. B, 1976, vol. 14, No. 5, p. I887-I892.

97. Kimball C.W., Kazlov T.F., Dvight E.A., Faber J. Phonon Softening above TQ in Superconducting Ba Pb0i67В^ъОъ («%}J. Bull. Amer. Phys. Soc., 1982, vol. 27, N0. 3, p. 3I8.

98. McDowell D.J., Taneja S.P., Dvight A.E., Kimball C.W. Superconducting Behavior of Ba. Pb/. x (Bl, Sb) xCompounds. -Bull. Amer. Phys. Soc., 1982, vol. 27, N0. 3, p. 3I8.

99. Farrah S.K., Kimball C.W., Karlov T.F., Staford B.L., Dvight A.E. M*9ssbauer Study of the Superconducting Perov-skites B

100. Groznov I.N., Ionov S.P., Kevdina I.B. et al. Mossbauerand Positron Studies of Superconducting Oxides BaPbj^BiJ)^-Phys. Status Solidi (B/', 1984, vol. 123, No. I, p. 183−190.

101. Плотникова M.B., Рейман С. И., Богатко В. В., Веневцев Ю. Н. Корреляция изомерного сдвига мессбауэрской линии с температурой сверхпроводящего перехода в системе BaPb03'BaBi0^r

102. Физ. твердого тела, 1983, т. 25, вып. 8, с. 2508−2510.

103. Rice Т.М., Sneddon L. Real-Space and k-Space Electron Pairing in BaPb, xBixOz. Phys. Rev. Lett., 1981, vol. 47, No. 9, p. 689−692.

104. Wertheim G.K., Remeika J.P., Buchanan D.N.E. Electronic Structure of BaP6UxBix05. Phys. Rev. B, 1982, vol. 26, No. 4, p. 2084−2087.

105. Mattheiss L.F., Hainan D.R. Electronic- and Crystal-Structure Effects on Superconductivity in th® BclP6i-xBl/Os System. Phys. Rev. B, 1982, vol. 26, N0. 5, p. 2686−2689.

106. Mattheiss L.F. Plasma Energies for BaPb,. KBix03. -Phys. Rev. B, 1983, vol. 28, No. 12, p. 6629−6633.

107. Balzarotti A., Menushenkov A.P., Motta N., Purans J. EXAFS of the Superconducting Oxide ВаРЬнхВ1ц03. Solid State’Commun., 1984, vol. 49, N0. 9, p. 887−890.

108. Гуревич В. JI., Ларкин А. И., Фирсов К).А. О возможности сверхпроводимости у полупроводников. Физ. твердого тела, 1962, т. 4, вып. 1, с. 185−180.

109. Hein R.A., Gibson J.W., Mazelsky R. et al. Superconductivity in Germanium Telluride. Phys. Rev. Letters, 1964, vol. 12, No. 12, p. 320−322.

110. Allen P.В., Cohen M.L. Carrier Concentration-dependent Superconductivity in SnTe and GeTe. Phys. Rev., 1969, vol. 177, Ко. 2, p. 704−706.

111. Schooley J.F., Hosier W.R., Cohen M.L. Superconductivity in semiconducting SrTiO^. Phys. Rev. Letters, 1964, vol. 12, No. 7, p. 474−475.

112. Schooley J.F., Thurber W.E. Superconductivity of semiconducting SrTiO^. J. Phys. Soc. Japan, 1966, vol. 21, suppl., p. 959−642.

113. Koonce C.S., Cohen M.L. Superconducting Transition Temperatures of semiconducting SrTiO^. Phys. Rev., 1976, vol. 163, No. 2, p. 380−390.

114. Baratoff A., Binnig G. Mechanism of Superconductivity in SrTiO^. Physica B, I98I, vol. 108, No. 1−3, p. I335-I336.

115. Thompson J.R., Boatner L.A., Thompson J.O. Very Low-temperature Search for Superconductivity in semiconducting КТаО^. J. of Low Temperature Physics, 1982, vol. 47, N0. 5I6, p. 467−475.

116. Фридкин B.M. Сегнетоэлектрики полупроводники. M., 1976, 408 с.

117. Wagner D., Bauerle D., Schwabl F. et al. Soft Mode Behavior in heavily reduced SrTiO^. Ferroelectrics, 1980″ vol. 26, p. 725−728.

118. B’auerle D., Rehwald W. Structural Phase Transitions in semiconducting SrTiO^. Solid State Commun., 1978″ vol. 27, No. 12, p. 1343−1346.

119. Matthias B.T. Superconductivity versus Ferroelectricity. -Material Research Bulletin, 1970, vol. 8, N0. 8, p. 665−668.

120. Bechgard К., Carneiro К., Rassmussen F.B., Jakobsen C.S. Zero-Pressure Organic Superconductor. Di-(Tetramethil-tetaselenefulvalenium)-Perch. lQrate ((TMTSF^CIO^). -Physical Reviev Letters, 1981, vol. 46,1. No. 13, p. 852−855.

121. Ягубский Э. Б., Щеголев И. Ф., Лаухин В. Н. и др. Сверхпроводимость при нормальном давлении в органическом металле (веот-ттБ2^з (трииодидбис (этилендитили) тетратиофиль-валена). Письма в ЖЭТФ, 1984, т. 39, вып. 1, с. 12−15.

122. НО. Birman J.L. Are Superconductivity and Ferroelectricity mutually Compatible? Ferroelectrics, 1977″ vol. 16,

123. No. 1−4, p. 171−172. III. Смоленский Г. А., Боков B.A., Исупов В. А. и др. Сегнето-электршш и антисегнетоэлектрикш. Ленинград, & quot-Наука"-, • 1971, 476 с.

124. Antcliffe G.A., Bate R.T., Buss D.D. On the Ferroelectric Nature of the Cubic-Rhombohedral Phase Transition in PbT Ge Т. е. Solid State Commun., 1973″ vol. 13, p. 1003−1006.

125. Kamitakahara W.A., Schanberg K., Schanks H.R. Special Phonons and Superconductivity in the Hexagonal Tungsten Bronzes. Phys. Rev., 1979, vol. 43, No. 21, p. I607-I6II.

126. Пашщкий Э. А. 0 плазменном механизме сверхпроводимостив вырожденных полупроводниках и полуметаллах. 3ft. эксп. и теорет. физики, 1969, т. 9, $ 6, с. 367−371.

127. Scokan M.R., Moulton W.G., Morris R.C. Normal and Superconducting Properties of CsxW0^. Phys. Rev. B, 1979, vol. 20, N0. 9, p. 3670−3677.

128. Ikeda К., Gachneider К.A., Beandry B.J., Atzimany U. Heat Capacity in Superconducting and Normal-State LaS (1,333 1,500) Compounds. Phys. Rev. B, 1982, vol. 25, No. 7, p. 4604- 4622.

129. Abeles В., Sheng P., Coutts M.D., Arie Y. Structural and Electrical Properties of granular Metal Films. Adv. Phys., 1975, vol. 24, N0. 3, p. 408−461.

130. Deutscher G., Imry Y., Gunther L. Superconducting Phase Transitions in granular Systems. Phys. Rev. B, 1974, vol. 10, No. II, p. 4598−4606.

131. Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков. М., & quot-Энергия"-, 1976, 336 с.

132. Веневцев Ю. Н., Соловьев С. П., Жданов Г. С. Методика рентгенографического исследования малых искажений кубических элементарных ячеек. Заводская лаборатория,¦ 1961, т. 27, c. III2-III5.

133. Куприянов М. Ф., Филипьев B.C. рентгенографическое исследование малых искажений сложных перовскитов. Кристаллография, 1963, т. 8, вып. З, с. 356−362.

134. Шебанов Л. А., Рентгеноструктурное исследование тетрагонального-кубического фазового перехода в сегнетоэлектрических твердых растворах (balSr)TcOh. Учен. зап. Латв. у-та, 1974, т. 189, с. 150−160.

135. Поландов И. Н., Крюков А. В., Калинин В. И. Модифицированная камера высокого давления. Ж. физ. химии, 1975, т. 49,№ 6, с. 1840−1841.

136. Иванов В. А., Макаренко И. Н., Стишов С. М. Многоканальный электроввод высокого давления. Приборы и техн. экспер., 1972, с. 195−196.

137. Браидт 'Н.Б., Кувшинников С. В. «, Минина Н. Я., Скипетров Е. П Способ повышения гидростатического сжатия при низких температурах в бомбах фиксированного давления. Приборы и техника эксперимента, 1973, 1Ю, с. 160−164.

138. Моисеев Д. П., Семенова Е. Л., Уварова С. К. Сверхпроводимость в системе2п -On. Физ. металлов и металловедение, 1975, т. 39, Jp6, C. II63-II67.

139. Шебанов Л. А., Гаевскис А. П., Калване А. И., Бородаенко Н.й. Температурные зависимости кристаллографических свойств твердых растворов системы В>а P6/-x8ix03. В кн.: Актуальные проблемы сегнетоэлектрических фазовых переходов. Рига, 1983, с. 80−95.

140. Мотт Н. Ф. Переходы металл-изолятор. Ы., & quot-Наука"-, 1979, 312 с.

141. Flukiger Н., Jorda J.L., Junod A., Fisher P. Superconductivity, Atomic Ordening and Stoichiometry in the AI5 Type Phase NbjAl. Appl. Phys. Commun., I9SI, vol. 1, p. 9−30.

142. Плечкенс Э. С., Радаус В. Д., Петров А. Е. Повышение температуры перехода TQ сверхпроводников типа AI5 после нейтронного облучения. Известия А Н Латв. ССР, сер. физических и технических наук, 1983, М, с. 41−45.

143. Калване А.й., Фреймале М. Ж., Шебалов Л. А., Гаевскис А. П. Физико-химические исследования системы Во. Pb^Bifib. В кн.: & quot-Тезисы докладов 4-го Северо-западного научно-технического межведомственного семинара& quot-, Рига, 1980, с. 91.

144. Гаевскис А. П., Шебанов Л. А. Сверхпроводимость в системе твердых растворов Ва PhhA. В кн.: & quot-Структура и свойства сегнетоэлектриков& quot-. Рига, 1983, с. 31−57.

145. Shebanov L.A., Fritsberg V. Ya., Gaevskis A.P. Crystallo-graphic Properties and Superconductivity of Solid Solutions of the Ba РЬ,. жВ^Оь System. Physica status soli-di (a), 1983, vol. 77, No. I, p. 369−373.

146. Гаевскис А. П., Шебанов Л. А. Влияние восстановления на свойства керамики ВлР6,^Вгх0з. В кн.: & quot-Тезисы докладов 2-ой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов& quot-. М. ,"Знание", 1983, с. 176.

147. Гаевскис А. П., Фрицберг П. А. Влияние гидростатического давления на удельное сопротивление сверхпроводящих твердых растворов BaPl/^Bt'xOi. В кн.: & quot-Фазовые переходыи сопутствующие им явления в сегнетоэлектриках& quot-, Рига, 1984, с. 154−163.

148. Вендик О. Г., Козырев А. Б., Морозик В. П., Самойлова Т. Б., Гаевскис А. П. Поверхностное сопротивление керамики

149. BcLphxBUO}. В кн. -«Тезисы докладов 23-го Всесоюзного совещания по физике низких температур, ч. Г Таллин, 1984, b. 104−105.

150. Гаевскис А. П., Шебанов Л. А., Калване А. И., Калнберга М. Ж. Резистивный материал. Авторское свидетельство № II25666,. 1984, опубликовано в бюллетене № 43, 23. 11. 84.

151. Hulm. J.K., Matthias В. (С, Overwiew of Superconducting Materials Development. Superconducting Material Sci. T Methods, Fabrication and Application. Proceedings, New-York — London, 1981, p. 1−61.

152. Любкина И. Я., Кононюк И. Ф., Ляшевич А. С. Влияние состава шихты и условий спекания на электропроводность метаплюм-бата бария. Известия А Н СССР, Неорганические материалы, 1982, т. 39,№ 3, с. 454−457.

Заполнить форму текущей работой