Разработка метода прогнозирования термоэлектрических свойств расплавов полупроводников сложного состава

Тип работы:
Диссертация
Предмет:
Теплофизика
Страниц:
145
Узнать стоимость новой

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

Исследование термодинамических свойств жидких полупроводников было начато в 50-е годы по инициативе академика А. Ф. Иоффе. В течение последних 15−20 лет основное внимание исследователей направлялось на накопление и систематизацию фактического экспериментального материала по термоэлектрическим свойствам разнообразных расплавов имеющих положительный знак температурной зависимости электропроводности.

Большой вклад в эти исследования был внесен работами А.Р. Ре-геля и В. М. Глазова. В 70-е годы на базе имеющего фактического материала начала активно развиваться теория электронных свойств полупроводников с неупорядоченной структурой. Особенно велика в этой области заслуга Н. Мотта, удостоенного в 1977 году Нобелевской премий.

Широкое практическое использование полупроводников с неупорядоченной структурой представляется сейчас реальной и достаточно близкой перспективой.

В ряде областей техники уже нашли успешное применение полупроводники с аморфной структурой. В ряде стран ведется проработка макетных устройств (гетерофазный термогенератор, терморезистор, точечный диод и дрзтие) с использованием жидких полупроводников.

Дальнейший прогресс в практическом использовании жидких полупроводников зависит сейчас от решения ряда научных и технологических проблем, таких, напрмер, как установление детальной картины механизма движения носителя заряда, структуры энергетического псевдозазора, вклада ионной составляющей в проводимость, выяснение возможности и способов активного управления электронныш свойствами жидких полупроводников, поиск конструкционных материалов, способных длительное время работать в контакте с полупроводниковым расплавом И т.д.

В Московском энергетическом институте в течение более 15 лет ведутся работы по исследованию возможности И способов легирования жидких полупроводников.

За это время исследованы электронные и теплофизические свойства большого числа расплавов бинарных систем и установлена корреляция вида фазовых диаграмм этих систем и возможности управления их электронными свойствами. Основные выводы полученные на оснований этих исследований сводятся к следующему:

1. В полупроводниковых расплавах принадлежащих к системам имеющим на фазовой диаграмме области расслаивания в жидкой фазе, вблизи области расслаивания наблюдается очень сильная зависимость электронных свойств от состава. В частности, при небольшом изменений состава коэффициент Холла и термо-э.д.с. изменяются по абсолютной величине на порядки, наблюдается инверсия знака термо-э.д.с. электропроводность проходит через глубокий минимум.

2. В полупроводниковых расплавах, пренадлежащих к системам не имеющих на фазовой диаграмме области расслаивания, чувствительность электронных свойств к изменению состава крайне низкая.

Для различных технических применений важное значение имеют, как расплавы чувствительные к изменению состава, так и расплавы свойства которых от состава не зависят.

Установленная корреляция вида фазовой диаграммы бинарной системы и электронных свойств расплавов этой системы дает рецепт для поиска полупроводниковых расплавов с заданными свойствами.

Число бинарных систем, шеющих указанный выше особый тип фазовой диаграммы (наличие зоны расслаивания в области составов с полупроводниковыми свойствами в жидкой фазе) аесьма ограничено. В связи с этим большой научный я практический интерес представляет исследование более сложных полупроводниковых систем -тройных, четверных я т.д., что значительно расширяет область поиска перспективных материалов. Однако, в настоящее время ни одна тройная система (не говоря уже о более сложных), сплавы которой в жидкой фазе обладали полупроводниковыми свойствами, не исследована ня по одному электронному параметру.

Цель работы

В связи с изложенным, в качестве основной цели настоящей работы, ставилась задача: а) исследования термоэлектрических свойств расплавов тройных сястем- б) выявления закономерностей изменения этих свойств с изменением состава- в) установления возможности я способов оптимизация термоэлектрических свойств слоеных полупроводниковых систем.

В качестве объектов для исследования выбраны тройные системы: Ag-Ti-Se и Cu-Sb-Se, имеющие на фазовых диаграммах обширные области расслаяваняя. Эти системы, как показано в дальнейшем изложении являются удобной моделью для решения ю-ставленной задачи.

Кроме того одной яз целей настоящей работы являлась разработка методики надежного я точного измерения теплопроводности расплавов в широком диапазоне температур. Необходимость решения этой задачи обусловлена тем, что яз трех параметров, определяющих термоэлектрическую добротность? полупроводникового материала где о (- термо э.д.с., 6~ - теплопроводность) наименее надежно электропроводность, измеряется теплопроводность [9, gdz-mir.ru].

Литературные данные различных авторов по этому параметру нередко имеют расхождения значительно превосходящие ошибку измерения указанную авторами.

Очевидно, что не располагая методикой надежного измерения теплопроводности расплавов, бессмысленно ставить вопрос о поиске материалов с высокой добротностью.

Научная новизна работы состоит в том, что в ней впервые проведено систематическое комплексное исследование термоэлектрических свойств расплавов тройных полупроводниковых систем и показано, что по виду фазовой диаграммы тройной системы можно прогнозировать поведение ее свойств с изменением состава.

Кроме того, разработана методика измерения теплопроводности расплавов по методу плоского слоя с использованием керамических ячеек, конструкция которых позволяет производить их серийно методом точного керамического литья. Определение теплового потока, прошедшего через образец осуществляется с повышенной точностью с помощью проточного калориметра новой конструкции.

По совокупности выполненных работ на защиту выносятся следующие положения:

1. Установление возможности прогнозирования термоэлектрических свойств жидких полупроводников, принадлежащих к тройным системам по виду фазовой диаграммы.

2. Большой объем экспериментальных данных по электропроводности, термо-э.д.с. и теплопроводности полупроводниковых расплавов ТРОЙНЫХ СИСТеМ Ag-Tl-Se «Cu-Sb-Se

3. Новая методика измерения теплопроводности расплавов обеспечивающая повышенную точность и надежность измерений (включающая в себя автоматический информационно-измерительный комплекс).

Практическая ценность

Установление возможности прогнозирования термоэлектрических свойств расплавов тройных полупроводниковых систем по виду фазовой диаграммы открывает возможность для целенаправленного поиска эффективных полупроводниковых сплавов сложного состава7 оптимизации их свойств и создания материалов «р «и «п «типа на основе единой матрицы исходного вещества.

Разработанная методика измерения теплопроводности расплавов позволяет повысить точность и надежность экспериментальных данных, а использование метода точного керамического литья для изготовления ячеек позволяет производить эти ячейки серийно, что в свою очередь позволяет увеличить объем выполняемых экспериментов и сократить сроки выполнения исследований, имеющих различное прикладное значение.

Результаты работ внедрены во Всесоюзном научном институте источников тока.

Аппробация работы

Результаты работы доложены на юбилейной научно-технической конференции МЭИ, на научном семинаре кафедры ТОТ МЭИ и опубликованы в четырех статьях.

Конструкция ячейки для измерения теплопроводности защищена авторским свидетельством на изобретение и отмечена бронзовой медалью ВДНХ СССР.

В соответствий с целью работы, сформулированной в Введении, выполнен большой объем экспериментальных исследований, направ ленных на выяснение возможности и способов управления электрон ными свойствами жидких полупроводников сложного состава. В результате этих исследований выявлены закономерности изменения электропроводности и терло-э.д.с. по раз’резам Ag^ оц^^п п^ .^ ® и CUoS-Sb^Se^ тройных систем I g — T l — S e и Cu-Sb-Sc Установлено, что указанные расплавы особенно по разрезу Ag^ od^ln п^ л^ Зе обладают очень высокой чувствительностью и, (dp и, /р& mdash-X X электроннных свойств к изменению состава в области фазовой диаграммы близкой к зоне распада на две жидкие фазы. Подобного рода закономерность, ранее наблюдалась в бинарных системах, однако, только в случаях, когда рядом с областью расслаивания име лось химически устойчивое в жидкой фазе соединение обладающее полупроводниковыми свойствами. В настоящей работе установлено, что корреляция чувствитель ности электронных свойств полупроводниковых расплавов и наличия области расслаивания на фазовой диаграмме имеет место и для тройных полупроводниковых систем, причем, наличие соединения вблизи области расслаивания не является обязательным условием существования указанной корреляции. Возможным механизмом обеспечивающим резкое повьш’ение чувствительности электронных свойств с изменением состава вблизи области расслаивания является образовашю в предраспад ной области микрогетерогенной структуры, захват кластерами носителей с их последующим высвобождением при повышении темпе ратуры. в области удаленной от расслаяваняя расплава электронные свойства достаточно хорошо описываются в рамках модели MCFO, Детальная картйна явлений происходящих в предраспадной области и вдалй от нее мокут быть получена ЛИШЬ при наяичид дополнительных данных по малоугловому рентгеновскому рассеянию, по оптйческйм свойствам расплавов, по ядерному магнитному резонансу и другйм параметрам, Еолу1ение которых вызывает пока серьезные затруднения. В дальнейшем развйтдй нуждается и теория электронных явлений в неупорядоченных стрз'-ктурах, позволяющая пока анализировать ЛИШЬ сравнительно простые случая. В ЭТИХ условиях практяческий янтерес представляет установ леняе коррелящзя вяда фазовой диаграммы я чувствятельностя электронных свойств к язмененяю состава, которая дает шгюч к направленному пояску матеряалов с заданнырлд электроннымя свойствагди.

Показать Свернуть

Содержание

Глава I. Экспериментальные методики

1.1. Методика измерения теплопроводности ••. -••••••

1.1.1. Обоснование выбора методики .-. ^

1.1.2. Основные требования к методики

1.1.3. Конструкция измерительной ячейки. i.

1.1.4. Проточный калориметр

1.1.5. Общая компоновка установки. 2у

1.1.6. Автоматизация эксперимента

1.1.7. Оценка погрешности измерений Л

1.2. Методика измерения электропроводни и термо-э. д

1.2.1. Обоснование выбора методики

1.2.2. Конструкция измерительной ячейки .-.

1.2.3. Общая компоновка установки ••••. ••.

1.2.4. Оценка погрешности измерений

1.3. Синтез образцов. •••.

Глава П. Исследование термоэлектрических свойств расплавов системы Ag-TL-Se .-. •••. ^

2.1. Обоснование выбора системы Ag-Ti-se в качестве объекта для исследования. 5з

2.2. Общие сведения по системе Ag-Ti-Se. Экспериментальные результаты

2.3. Исследования электропроводности расплавов

— AS0,25T10,75-xSex

2.4. ледование термо-э.д рлавов

AS0,25T10,75-xSex

Глава III. Исследование термоэлектрических свойств расплавов системы Cu2se-sb2se^

3.1. Общие сведения по системе Cu-Sb-Se

3.2. Экспериментальные результаты по исследованию электропроводности расплавов разреза Cu2Se-Sb2Se^

3.3. Экспериментальные результаты исследования термо-э.д рлавов разреза Cu~se-sb0s"-, г г $

Глава 1У. Анализ результатов эксперимента

4.1. Энергетический спектр носителей и механизм явлений переноса носителей и тепла в кядкях полупроводниках

4.2. Анализ термоэлектрических свойств расплавов

AS0,25T10,?5-xSex

4.3. Анализ термоэлектрических свойств расплавов

Cu0Se -Sb0Sez. ЮЗ d d $

4.4. Анализ результатов измерения теплопроводности Те, Se, CuSbSe

Список литературы

1. ОсиповаВ.А., Федоров В. И. Экспериментальное определение ТВТ, т. 3, В 2, 1965, с. 1251−1261.

2. Павлов В. Г. Исследование теплопроводности элементов кристаллизирующихся по правилу 8 N в области плавления и жидкой фазы. Автореферат дис. к.т.н. М., МИСИС, 1967.

3. Крестовников А. Н., Павлов В. Г., Глазов В. М., Методика измерения теплопроводности, расплавов при высоких температурах. Заводская лаборатория, т. 34, 2, 1968, с. 191−194.

4. Федоров В. И., Мачуев В. И. Теплопроводность жидкого сульфида сурьмы. ФТП, т. 3, 1969, с. 275−277.

5. Федоров В. И., Мачуев В. И. Теплопроводность жидких теллури-дов галлия и олова, ТВТ, т. 4, 1969, с. 791−793.

6. Федоров В. И., Мачуев В. И. Теплопроводность теллурида висмута в жидкой фазе и в области предплавления. ФТТ, т. II, 1969, с. 2690−2692.

7. Федоров В. И., Мачуев В. И. Теплопроводность теллурида галлия ФТТ, т. II, № 2, 1969, с. 472−474.

8. Федоров В. И., Мачуев В. И. Теплопроводность жидких теллуридов таллия, ФТТ, т. 12, 1970, с. 631−634,

9. Федоров В. И., Мачуев В. И. Теплопроводность жидких халькоге-иидов таллия, ТВТ, т. УШ, Л 3, 1970, с. 670−672.

10. Федоров В. И., Мачуев В. И. Теплопроводность сульфидов таллия в жидкой фазе и в области плавления. ФШ, т. 5, & 12, 1971, с. 2252−2256.

11. Федоров В. И., Мачуев В. И. Теплопроводность селена, селени-дов индия и галлия в жидкой и твердой фазах. ФТП, т. 6,1. 1972, с. 173−176.

12. Aivazov A.A., Gkhotin A.S., Pushkarsky A.S. Experimental investigation of heat conductivity of PbTe and FbSe in solid and liquid states. Phys. and Chem. Liquids, v. 3, N 3,1972, c. 14?.

13. Глазов B.M., Бурханов A.C., Айвазов A.A. Изменение теплопроводности халькогенидов меди при плавлении. Изв. АН СССР. Неорг. матер., т. II, Л 5, 1975, с. 844−847.

14. Даввдов Й. Я. Исследование термоэлектрических свойств полупроводников в твердом и жидком состояниях. Автореферат дис.к.т.н. М., МЭИ, 1977.

15. Охотин А. С., Ковалева Э. И., Игнатьев Г. Е. Исследование теплопроводности Ag2Se, Ag2Te И Cu2Se в жидком состоянии. Космич. материаловедение и технология. М. Наука, 1977, с. 78−85.

16. Jonson E.W., Readal E.L. The thermal conductivity ofmolten Cu23q 250 75 an

17. Шадричев E.B., Смирнов И. А. Теплопроводность туллеридависмута при высоких температурах в твердом и жидком состояний. Сб. Теплофизические свойства твердых тел. 1971.

18. Амирханов Х. И., Адамов А. П. Теплопроводность водяного пара в околокритическом и сверхкритическом состояниях. Теплоэнергетика, № 10, 1963, с. 69−71.

19. Амирханов Х. И., Гаджиев Г. Г., Исмаилов Ш. М., Магомедов Я. Б. Теплопроводность TlAsS2 д TiAsTe2 в твердом и жидком состояний. ФТТ, т. 15, J& 8, 1973, с. 2497−2499.

20. Cutler М., Cheney G.T. Measurement of thermal Conductivity of Electrical Conductors at High Temperatures. J. Appl. Phys., v. 34, 1963, p. I7I4-, 3420.

21. Mallon С.E., Cutler M. Thermal Conductivity of Electrically Conducting Liquids. Rev. Scient. Instr., v. 36, N 7, 1965, p. 1036−1040.

22. Юрчак Р. П., Смирнов Б. П. Установка для измерения теплопроводности электропроводящих материалов. Заводская лаборатория, 1968, с. 242−244.

23. Глазов В. М., АйвазовА.А., Смирнов Б. П. Об оценке теплопо-терь при измерении теплопроводности расплавов модифицированным методом Кальраута. Заводская лаборатория, т. 41,9, 1975, с. II02-II05.

24. Duggin M.J. The Thermal Conductivities of Liquid Lead and Indium. J. Phys. P.: Metal Ebys. v. 2, 1972, p. 433−440.

25. Островский О. И. й:". др. Оценка коэффициентов теплопроводности жидких металлов. Заводская лаборатория, т. 45, № II, 1979, с. 1023.

26. Регель А. Р. Измерение электропроводности металлов и сплавов во вращающемся магнитном поле Я.Т.Ф., 1948, 18, 12, I5II.

27. Регель А. Р. Прибор для безэлектродного измерения электропроводности методом вращающегося магнитного поля. Приборы и стенды тема 5, 1956.

28. Петров Д. А., Глазов В. М., Аппаратура и методика изучения физико-химических свойств веществ в твердом и жидком состояний. Завод, лабор. 1958, 24, I, 34.

29. Астахов О. П., Лобанков В. В. Метод измерения термоэлектрических характеристик полупроводников в твердой и жидкой фазах при высоких температурах. Измерит, техника., 1965, 9, 22.

30. Е.А. Dancy. The Electrical Conductivities and ЙееЪаск coefficients of the Molten Си Те, AG — Те andSu Те systems. Trans. AIME, 1965, 233, 270.

31. G.M. Pound, G. Derge, G. Osuch. Electrical Conduction in Molten Cu Fe Silphide Matter. Trans. AIME, 1955, 203, 481.

32. Дитман A.B., Укис K.A. Электропроводность и термо-э.д.с. в системе теллурид селеняд меди при высоких температурах. Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1967, 3, 4, 717.

33. Великанов А. А., Тертых В. А. Исследование электропроводности, поляризации и электролиза расплавов системы ti-sЖ. физ. химии, 1969, 43, 10, 2580.

34. Дитман А. В., Куликова И. Н. Ячейка для одновременных измерений электропроводности и термо-э.д.с. диссоциированных соединений ПТЭ, 1977, I, 258.

35. Вукалович М. П., Казанджан Б. И., Чернышов Р. Н. Методика измерения электропроводности расплавов полупроводников. Теплоэнергетика, 6, 70, 1967.

36. Казанджан В. И. Исследование просит мы оптимизации термоэлектрических свойств жидких полупроводников. Диссертация д.т.н., МЭИ, 1978 г.

37. Казанджан Б. И. Влияние легирования на электропроводность и термо-э.д.с. Sb2Se^ в жидком состоянии. Ф.Т.П., 2, 3, 400, 1968.

38. Казанджан Б. И., Лобанов А. А., Селин Ю. И., Цуриков А. А. Исследование термоэлектрических свойств сплавов системы Т1-Те в жидком состоянии. Изв. АН СССР, Неогр. мат. 7, 6, 1061, 1971.

39. Казанджан Б. И., Лобанов А. А., Селин Ю. И., Цуриков А. А. Электропроводность и термо-э.д.с. сплавов системыTi-Se в жидком состоянии. Электр, техн., 6, 120, 1972.

40. А? Н. Kegel, А.А. Andreev, B.I. Kazandzhan, А.А. Lobanov, М. Mamadaliev, I.A. Smirnov, Shadrichov. Proceedof Tenth Intern. Conf. on Phys. Semicond., Cambridge, Massachusetts, 773″ 1970.

41. Казанджан Б. И., Мишуткина Т. И. Электропроводность итермо э.д.с. сплавав системы Su-Se в жидком состоянии. Изв. АН СССР, Неогр. мат., 9, 6, 911, 1973.

42. Казанджан Б. И., Цуриков А. А. Электропроводность и термо-э.д.с. сплавов системы Ti-Sb в жидком состоянии. ЖФХ, 483,746, 1974.

43. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Металлург издат., М., 1962.

44. Обухов А. П., Бутырева Н. С. Изв. Сент. физ. -хим. анализа ИОНХ, 276, 1949.

45. Васильев В. П., Никольская А. В., Герасимов Я. И. Термодинамическое исследование сплавов системы таллий селен методом электродвижущих сил.

46. J. Terpilowski, E. Zaleska, W. Gawel. Badania Electro-chamicze stopow Stalych Tal Selen. Rocz. Chem., 42, 1845, 1968.

47. M.M. Стасова, Б. К. Ванштейн. Электрографическое определение структуры Ti^Se. Кристаллография, 3, 2, 141, 1958.

48. К. С. Barua, A. Goswami. Structures of Vacuum DepositedFilms of Tl2Se and Tl^e. Surface Sci, 14, 415, 1969. 5Ie Ю. Г. Полтавцев. Изменения ближнего порядка при плавлении по типу полупроводник полупроводник. ФТП, 9, II, 2074, 1975.

49. J. Ketalaar, W.H. t’Hart, М. Moerel, D. Polder. The Crystal Structure of TISe, Thallous Thallic or Thallosic Selenide. Z. Kristallogr., 101, 5, 396, 1939.

50. Л. И. Татаринова. Электронография аморфных веществ. Наука, М., 1972.

51. Б1.A. Kanda, R.C. Faxon, D.V. Keller. The Determination of the Liquid Imiscibility Bounderies of the Lethium -Sodium and Thallium-Selenium Systems Ъу the Liquid Density Method. Phys* Chem. Liquids, I, 61, 1968.

52. K.B. Pettit, W.J. Camp. Phase Separation in the Semiconducting Binary Liquid Selenium Thallium. Phys. Rev. Lett, 32, 7, 369, 1974.

53. H. Pelabon. Sur les sulfures, selenoures et tellurures de thallium. Сотр. rend., 145, 118, 1907.

54. T. Murakami. Mem. Coll. Sci., Kyoto Univ. I, 153, 1915.

55. Жузе В. П., Сергеева В. И., Штрум E. JI. Полупроводниковые соединения с общей формулой АВХ2, ЖТФ, т. ХХУТИ, J& 10, 1958, с. 2093−2107.

56. Nakamura J., Shimoji М. Electrical Conductivity and Thermoelectric Power of the Molten T1 + Se and Systems. Trans. Faraday Soc., 65, 6, 1509, 1969.

57. Александров А. А., Андрианова Т. Н., Разумейченко JI.A., Охотин B.C. Исследование вязкости и плотности системы сурьма селен в жидком состоянии, ТВТ, 1970, т. 8, & 6, стр. II92−1196.

58. Федоров В. И., Мачуев В. И. Теплопроводность жидких халько-генидов талия. ТВТ, т. 4, & 3, 1970, стр. 670 671.

59. Глазов В. гЛ., Бурханов А. С., Гребчак Н. М. Полупроводниковые халькогениды меди и серебра. Обзоры по электронной технике. ЦНИИ, Электроника, Москва, 1977.

60. Глазов В. М., Гребчак Н. М. Исследование электропереносав расплавах халькогенидов серебра. Известия Академии наук СССР. Неорганические материалы. Том. 4, I 3, стр. 463 435, 1978.

61. Регель А. Р., Глазов В. М. Физические свойства электронных расплавов. Издательство Наука, 1980.

62. Satow Т. Ue murso akaikes. The structure analysis of liguid Sb2Se^ by neutron diffraction J. Non-Cryst. Sol. 1974, 15, p. 395−398.

63. Brasen D. Glass formation and switching in Sb Se systems. J. non-Cryst. Sol., 197^, 15, p. 395−398.

64. Полтавцев Ю. Г., Захаров В. П. Ближний порадок в аморфных пленках халькогенидов сурьмы. Кристаллография 1974, т. 19, 63, стр. 668−699.

65. Казанджан Б. И., Матвеев В. М. Электронные свойства сплавов бинарных систем cu-Te, Cu-Se, Cu-s в жидком состоянии. ТВТ, том. ОТII, Л I, стр. 68−75, 1980.

66. Федоров В. И. Теплопроводность жидких полупроводников. Ф.Т.П., 1972, т. 6, № 4, стр. 597−601.

67. Kegel A.R. et al. Observations of transport phenomens and fo atomic motion in the liquid phase. J. Non-Cryst. Sol. 1970. fS/-/60

68. N.F. Mott, .' Adv. Phys. 16, 49, 1967.

69. N.F. Mott, R.S. Allgaier. Localized States in Disordered Lattices. Phys. stat. sol., 21, 343, 196 773. N.F. Mott. Metal-Insulator Transition. Rev. Mod. Phys., 40, 4, 677, 1968.

70. N.F. Mott. Conduction in Non-crystalline Systems

71. Localized Electronic States in Disordered Systems. Phil. Mag., 17, 1259, 1968.

72. N.F. Mott, E.A. Davis. Conduction in Non-crystalline Systems. II. The Metal-insulater Transition in a Random Array of Centres. Phil. Mag. 17, 1269, 1968.

73. N.F. Mott. Conduction and Switching in Non-crystalline Materials. Contemp. Phys. 10, 125, 1969.

74. N.F. Mott. Conduction in Non-crystalline Materials.

75. I. Localized States in a Pseudogap and Near Extremities of Conduction and Balance Bands. Phil. Mag., 19, 160, 835, 1969.

76. N.F. Mott. Conduction in Non-crystalline. Systems.1. Anderson Localization in a Disordered Lattice Phil. Mag. 22, 175, 7, 1970.

77. E.A. Davis, N.F. Mott. Conduction in Non-crystalline Systems. V. Conductivity, Optical Absorbtion and Photoconductivity in Amorphour Semiconductors. Phil. Mag., 20, 903, 1970.

78. N.F. Mott. Conduction in Glassy and Liquid Semiconductors Discuss. Farad. Soc., 50, 7, 1970.

79. N.F. Mott. Conduction in Non-crystalline Systems. VI. Liquid Semiconductors. Phil. Mag., 24, I, 1971.

80. N.F. Mott. Conduction in Non-crystalline Systems. Phil. Mag. 24, 190, 911, 1971.

81. N.F. Mott. Transport in Disordered Materials. Phys. Rev. Letters, 31, 7, 466, 197 384. N.F. Mott. Conduction in Amorphous MaterialsElectron, and Power. 19, 14, 321, 1973.

82. N.F. Mott. Conduction in Non-crystalline systems. X. Mobility and percolation, ajiges. Phil. Mag., 29, 3, 613, 1974.

83. N.F. Mott. Knight shift at an Anderson transition Phil. Mag. 29, I, 59, 1974.

84. N.H. Cohen, J.C. Tompson. The Electronic and L Ionic Structures of Metal-Ammonia Solutions. Advan. Phys. 17, 857, 1968.

85. M.H. Cohen. Review of the theory of amorphous semiconductors. J. Non-cryst. Sol. 4, 391, 1970.

86. M.H. Cohen. Theory of amorphous semiconductors. Phys. Today., 24, 5, 26, 1971.

87. M.H. Cohen, J. Sak. Electronic Structure of Liquid and Amorphous Alloys with Clusters. J. Non-cryst. Sol., 8, 696, 1972.

88. M.H. Cohen, J. Jortner. Effective Medium Theory for the Hall Effect in Disordered Materials. Phys. Rev., Letters, 30, 696, 1973.

89. M.H. Cohen, J. Jortner. Inhomogeneous Transport Regime in Disordered Materials. Phys. Rev. Lett., 30, 699, 1973.

90. M.H. Cohen, J. Jortner. Conduction regimes in expended mercury. Phys. Rev., A., 10, 3, 978, 1974.

91. M.H. Cohen, J. Jortner. The Ingomogeneous transport regime and metal-nonmetal transitions in disordered materials. Journal de Physiqe, 5, 35, p C4 345, 1974.

92. M.H. Cohen, J. Jortner. Metal Nonmetal Transition in Metal — Ammonia Solutions via the inhomogeneous J. Phys. Chem. 79, 26, 2900, 1975.

93. Мальсагов А. У. Исследование физико-химических свойствТ III УТ Т У УТ тройных полупроводниковых соединений АБС и, А В С2при плавлении и в жидкой фазе. Автореферат кандидатскойдассератции М. МИСиС, 1967.

94. Turnbull A.G. Thermal conductivity of molten salts. Austral. J. Advanc. Science, v. 12, 1961, p. 324.

95. Регель A.P., Глазов B. iVl. Физические совйства электронных расплавов. М. Наука, 1980.

96. Катлер М. Жидкие полупроводники. М., Мир, 1980.

97. Губанов А. И. Квантово-электронная теория сморфных полупроводников. Изд. АН СССР M-JI, 1963.

98. Смирнов И. А., Шадричев Е. В. ФТП, 1967, I, 4, 501.

99. Мачуев В. И. Исследование теплопроводности асидких полупроводников. Автореферат канд. дис., М. МЭИ, 1974.

100. Полихронида Н. Г. и др. ФТП, 1968, 2, 1959−1662.

101. Benguigui L., Phys. Condens Materie, 1966, 5, I7I-I74.

102. Perron J.С., These, Paris, 1969.

103. Могилевский Б. М., Чудновский А. Ф. Теплопроводность полупроводников. М. «Наука 1972. При ложе ниеПРОГРАММ СБОРА, РЕГИСТРАЦИИ И ОБРАБОТКИ ЭКСПЕРШЛЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ ПО ТЕШЮПРОВОДНОСТИ РАСПЛАВОВПОЛУПРОВОДНИКОВ

104. DIM U0(1) Ut (1) U2(t) из С1) т (3) ТО (8) Tt (8) 20 DIM W0(t) Wl (t) W2(1) ?3(t) Et (2) E2(2) E3(2) 30 DIM P (3,2), U4(0), U5(0), T2(8) 3 5 REM ВВОД ДАННЫХ

105. PRINT 'ВВЕДИТЕ ПРИЗНАК ТИПА ТЕРМОПАРЫ. &bull-

106. PRINT 'ДЛЯ П-ПР -1,ХР-АЛ -2. «38 LETA=0

107. INPUT 'ТИП ТЕРМОПАРЫ ?*А 15 IF А=1 THEN 80

108. REM ЗНАЧЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТОВ ПОЛИНОМА ДЛЯ ТЕРМОПАР 50 DATA 28. 262,127. 67,-5. 4686,. 57 461,-0. 42 965 5 5 DATA. 13 444

109. DATA -5. 6074,25. 836,-. 46 999,-. 27 958 55 DATA. 11 388,-. 96 70 READ A0, At, A2, A3,A4,A5 80 READ AO, AT, A2, A3, A4, A5

110. INPUT 'ВВЕДИТЕ ТЕМПЕРАТУРУ ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ T0=*T0

111. INPUT 'ВВЕДИТЕ ТОЛЩИНУ СЛОЯ КЕРАМИКИ (М) А=*А

112. INPUT ********************************** В=*В

113. INPUT & laquo-ВВЕДИТЕ ТОЛЩИНУ СЛОЯ ОБРАЗЦА (М) Н=*Н

114. INPUT 'ВВЕДИТЕ ПОПРАВКУ НА T2. -T[t] Р (2,1)='Р (2,1)

115. INPUT 'ВВЕДИТЕ ПОПРАВКУ НА Т3. -Т[2] Р (3, 2)='Р (3,2)

116. LETL=2. 0: REM L-ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ КЕРАМИКИ.

117. LETD0 =. 014: REM DO-ДИАМЕТР РАБОЧЕЙ ЧАСТИ ОБРАЗЦА

118. REM Е1(0) El (t), Е1(2)-ГРАДУИРОВОЧНЫЕ КОЭФ

119. REM ФИЦИЕНТЫ ПЕРВОГО ТЕРМОМЕТРА СОПРОТИВЛЕНИЯ.

120. LETEl (0)=-98. 52 682: LETE1(1)=-. 35 868 703: LETE1(2)=. 135 823 638

121. REM КОЭФФИЦИЕНТЫ ПОЛИНОМА ДЯЯ 2 И 3

122. REM ТЕРМОМЕТРОВ СОПРОТИВЛЕНИЯ Е2(0), Е2(1)

123. REM Е2(2) И Е3(0) Е3(1) Е3(2) СООТВЕТСТВЕННО. '. 00 LETE2(0)=-176. 1 426 128: LETE2(t) =t. O5555133697 > 05 LETE2(2) =. 007Ю142 314 125

124. LETE3(0)=~144. 3 646 856: LETE3(t)~. 45 746 293 215 LETE3(2)=. 997 714

125. LETF=. 1E~6: REM F-T04H0CTL ПРИ ИТЕРАЦИЯХ 1 ТЕРМ. СОПР. 225 REM ВВОД ДАННЫХ ЗАКОНЧЕН

126. PRINT 'КАКАЯ МЕТКА ПРОГРАММЫ ВАС ИНТЕРЕСУЕТ?' 240 INPUT 'МЕТКА *М 2 45 IF М& laquo-=3 THEN 750

127. CALL 1, U0(0), UT (0), U2(0), U3(0) U0(1), U1(1), U2(1), U3(1) 260 IF M-4 THEN 280

128. CALL 2, U4,U5,T0(1) TO (2), TQ (3), T0(4) T0(5) T0(6), T0(7), T0(8)

129. LETRO=((7. 3*(TO-20)-6. 4*(TO-20)^2)*10-(-4))+99. 9965

130. REM ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ 1 ТЕРМ. СОПР.

131. LETW0(0)=ABS (UO (O)): LETW0(t)=ABS (U0(1))

132. LETWt (0)-ABS (U1(0)): LETW1(1)=ABS (Ut (1))

133. LETT (1)=((Wt (0)+WT (1))/(W0(0)+W0(t)))*R0

134. LETT (1)=Et (0)+E1(t)*T (t)+El (2)*(T (1)~i2)

135. REM ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ 2 ТЕРМ. СОПР.

136. LETW2(0)=ABS (U2(0)): LETW2(1)=ABS (U2(1))

137. LETT (2)=((W2(0)+W2(1))/(WO (0)+WO (1)))*RO

138. LETT (2)=E 2(0)+E2(1)*T (2)+E2(2)*(T (2)^2)

139. REM ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ 3 ТЕРМ. СОПР.

140. LETW3(0)=ABS (U3(0)): LETW3(1)~ABS (U3(1))

141. LETT (3)=((W3(0)+W3(1))/(W0(0)+W0(1)))*R0

142. LETT (3) =E3(0) +E3(t)*T (3) +E3(2)*(T (3)-«2)405 IF M=t THEN 540 410 IF M=5 THEN 540

143. PRINT!2. 3! U0(0), U1(0), U2(0), U3(0)

144. PRINT!2•31 U0(!), U1(1), U2(1), U3(1)

145. PRINT!3. 3! eTl. =rT (1), T[2]=eT (2),|Т[3]=, Т (3)

146. LETM1=T (2)-T (1): LETM2=T (3)-T (2)

147. PRINT! з& bull- з! «тСг-Ц^пл/тЕз-гЗ^мг

148. INPUT & laquo-НУЖНА ЛИ ПЕЧАТЬ НА КОНСУЛЕ? (0-НЕТ, 1-ДА)*S 490 IF S=0 THEN 250

149. LETL1=H/(M4-(A+B)/L) 6 50 LETM5 = (T2(3)-Q*A/L+T2(4)+Q*B/L)/2 660 PRINT !3. 2!, Q2=tQ2,! 2. 3!, T2−1. *~, N1, 665 PRINT !2. 3! *T[3~2]*≠, N2

150. PRINT !2. 3!, T (3−4) =, M3, LAMDA-, L1, !3. 2!, T (CP) =, M5 680 IF M=5 THEN 730

151. INPUT & laquo-НУЖНА ЛИ ПЕЧАТЬ НА КОНСУЛЕ?(0-НЕТ, 1-ДА)*S 710 IF S"0 THEN 250 720 IF S"1 THEN 820

152. PRINT 2. 3 *T1. ="T (1)-«T2. =*T (2), tT[3]=, T (3)

153. PRINT 3. 2 tT (1)=, T2(t),*Т (2)=*Т2(2), tT (3)=, T2(3), T (4)=, T2(4)

154. PRINT 3. 2 *T (5) =, T2(5),, T (6)s='T2(6), *Т (7)~*Т2(7), tT (8)=, T2(8)

155. PRINT 2. 3 U0(1), Ul (t), U2(l), U3(t), U4(0), U5(0), T0(l), T0(2)

156. PRINT 2. 3 T0(3), T0(4), T0(5), T0(6), T0(7), T0(8)

157. PRINT 2. 3 U0(0), Ut (0), U2(0), U3(0)

158. PRINT 0. 4 «H="H *(M)*,*А~*А*(M)»,*B="B*(M)*

159. INPUT *НУЖНА ЛИ ПЕЧАТЬ НА КОНСУЛЕ ?(0-НЕТ, 1-ДА)"S 810 IF S=0 THEN 230 815 IF M=3 THEN 860

160. PM: PRINT !3. 2! *Q2=*Q2,!2. 3!"T2−1. *="N1, 830 PRINT !2. 3! *Т[3−2]*=^2

161. PRINT !2. 3!, T (3−4)-, M3,'LAMDA^'LI,!3. 2!*T (CP)="M5:VT 850 IF M=t THEN 250

162. PM: PRINT !2. 3!*Tt. =*T (1), T[2]=*T (2),*ТСЗ]=*Т (3)

163. PRINT !3•2!*T (1) = *T2(t), T (2)=, T2(2), T (3)-, T2(3), T (4)-, T2(4)

164. PRINT !3•2!*T (5)='T2(5)"*T (6)-*T2(6),"T (7)='T2(7),*T (8)=fT2(8)

165. PRINT !2. 3! U0(1), U1 (1), U2 (1), U3(1), U4(0) U5(0), T0(1), T0(2)

166. PRINT !2. 3! T0(3)> T0(4), T0(5), T0(6), T0(7), T0(8)

167. PRINT 12. 3! U0(0) U1(0), U2(0), U3(0)

Заполнить форму текущей работой