Квантовохимическое моделирование электронной структуры, химической связи и ионной проводимости фторидов и оксидов

Тип работы:
Диссертация
Предмет:
Химия
Страниц:
166
Узнать стоимость новой

Детальная информация о работе

Выдержка из работы

Актуальность темы. Твердые электролиты с аномально высокой проводимостью по-прежнему остаются в центре внимания исследователей и находят широкое применение в химических источниках тока, электрохимических сенсорах и датчиках [1−3].

Классические суперионные проводники — фториды щелочноземельных элементов (ЩЗЭ) обладают высокой химической стабильностью и широким диапазоном прозрачности, что позволяет использовать их в различных оптоионных приборах [4].

Дальнейшие перспективы практического применения материалов на основе ионных и суперионных проводников определяются глубиной понимания природы формирования физико-химических свойств, выявлением закономерностей изменений последних в рядах изоструктурных соединений, нахождением возможностей их целенаправленного модифицирования. Решение подобных задач требует детального изучения электронной структуры и химической связи этих соединений. Исследования подобного рода осуществлялись в течение нескольких десятилетий как теоретическими, так и экспериментальными методами [4−11]. Пониманию электронной структуры классических твердых электролитов во многом способствовали результаты рентгеноэмиссионной, рентгеноэлектронной и фотоэлектронной спектроскопии [12−17]. Однако описание электронной структуры ионных и суперионных проводников и ее связи со свойствами данных соединений все еще остаются неполными.

Альтернативным вариантом исследования природы ионной проводимости могут служить современные квантовохимические методы. Однако известные из литературы результаты кластерных и зонных расчетов электронной структуры идеальных твердых электролитов

PbF2, Zr02-Ca0, Bi203, CaF2 др.) пока не дают ответа на вопрос о природе суперионного состояния. Попытки проведения систематических расчетов термодинамических характеристик ионного транспорта (энергии образования и миграции дефектов) ab initio методами не обнаружены.

Распространенное моделирование ионной проводимости и диффузии в твердых электролитах методами молекулярной динамики и статики (МД, МС) [18−21] эффективно, если взаимодействие между атомами может быть аппроксимировано простыми парными потенциальными функциями, а параметры потенциалов межатомного взаимодействия получают из экспериментальных данных. Эти требования отчасти выполняются для кристаллов с высокой степенью ионности химической связи. Но и в области эффективного применения методы классической МД имеют недостатки: параметры межатомных взаимодействий практически всегда получают из низкотемпературных экспериментальных данных (параметров кристаллической решетки, модулей упругости, дисперсионных кривых фононов и др.)[22−24].

В данных обстоятельствах, по нашему мнению, привлекательна возможность применения первопринципных методов молекулярной динамики (ПМД), не использующих какие-либо потенциальные функции, описывающие межатомные взаимодействия. Наиболее развитый из них, метод Кара-Парринелло [25−29] позволяет вводить температуру в расчетные уравнения и непосредственно моделировать пространственно-временное поведение малого фрагмента твердого тела. Поэтому, методы ПМД являются реальной альтернативой пока доминирующим методам классической МД. Однако, применение ПМД сдерживается необходимостью громадного объема вычислений. В настоящее время исследования ионной проводимости на базе этих методов не проводятся.

В условиях недостатка компьютерных ресурсов большой интерес для анализа ионной проводимости представляет возможность применения более простых, чем ПМД, первопринципных методов теории функционала электронной плотности (ФЭП): линейного метода присоединенных плоских волн [30,31], метода неэмпирического псевдопотенциала [32,33], линейных методов «muffin-tin» орбиталей (JTMTO) [34,35].

Поэтому для анализа дефектной структуры твердых электролитов и нахождения термодинамических характеристик ионной проводимости в качестве базового был использован метод JIMTO в приближении сильной связи (ЛМТО-СС), отличающийся от традиционных высоким быстродействием и удовлетворительной точностью.

Работа выполнена в рамках плановых тем Института химии твердого тела УрО РАН & quot-Направленный синтез твердофазных соединений и сплавов s, р, d и f-элементов в различных структурных состояниях, изучение их физико-химических свойств с целью разработки перспективных материалов, совершенствования и создания новых технологий, в том числе по переработке отходов промышленных производств и охране окружающей среды. "- (гос. регистрация № 01.9. 20 001 763) на 1996−2000 гг. и «Теоретическое моделирование электронной структуры и физико-химических свойств твердофазных соединений d, f- элементов и поиск новых составов и структур с технологически перспективными свойствами& quot- (гос. регистрация № 01.9. 7 009 243), а также по заданию Российского фонда фундаментальных исследований, проект № 98−03−33 188а. Цель работы- установление особенностей дефектной электронной структуры и химической связи в ряду классических ионных и вновь синтезированных проводников- развитие методик расчета характеристик ионной проводимости- выявление взаимосвязи между кристаллической, электронной структурой и характеристиками ионной проводимости во фторидных и оксидных системах. Автор выносит на защиту:

1. Особенности электронной структуры и природы химической связи в классических ионных оксидных и фторидных проводниках со структурой флюорита с дефектами и ранее не изученных оксидов с сложной кристаллической структурой.

2. Методики и режимы расчета термодинамических характеристик ионного транспорта.

3. Результаты определения структуры оптических центров, связанных с антифренкелевскими дефектами (АФД) во фторидах щелочноземельных элементов.

4. Влияние дефектов в кристаллической решетке флюорита на физико-химические свойства этих соединений, взаимодействие между дефектами.

5. Анализ природы аномального поведения характеристик ионной проводимости в классических оксидных и фторидных твердых электролитах со структурой флюорита.

6. Возможность использования результатов первопринципных расчетов в квазихимической теории перехода в суперионное состояние.

7. Прогноз условий возникновения ионной проводимости в сложных оксидах, причины появления подвижных ионов и возможные пути их миграции.

Научная новизна. Впервые с помощью первопринципного метода установлена взаимосвязь электронной структуры и характеристик ионной проводимости оксидных и фторидных систем.

Предложена оригинальная методика вычисления энергий образования и миграции дефектов Френкеля без использования эмпирических подгоночных параметров.

Впервые установлено наличие короткодействующего притяжения между междоузельными ионами фтора АФД (кластеризации) во фторидах ЩЗЭ, что согласуется с экспериментальными данными. Кластеризация сопровождается понижением энергии образования дефектов и является причиной появления суперионной фазы.

Уточнена электронная структура Р, Н оптических центров в двойных фторидах ЩЗЭ.

Предложена интерпретация уменьшения ионной проводимости в допированных соединений на основе оксида циркония при высоких концентрациях добавки (12−20% мол.). Анализ фазовых диаграмм, исследования зонной структуры и обнаруженный эффект кластеризации дефектов позволили разделить оксидные электролиты с примесным разупорядочением на две группы. К первой группе нами отнесены системы, подобные 2г02-У015 и 7гС> 2-СаО, для которых имеет место кластеризация примесей, приводящая к понижению характеристик ионного транспорта. Вторую группу образуют системы, типа ТЮг-УО] 5, Се02-У01. 5, СеОг-СаО, понижение проводимости которых связано с понижением содержания хорошо проводящей флюоритной фазы и повышением концентрации плохопроводящих фаз.

Для а-В120з, Р-В1203, 6-В12Оз впервые получена согласующаяся с экспериментом электронная структура полупроводникового типа. Анализ химической связи позволил объяснить механизм стабилизации кристаллической структуры 5-В120з примесями.

Впервые исследована электронная структура и химическая связь двойных оксидов Бг^хМЬпОгб (0& lt-х<-0. 3) и Ва (8г, РЬ) Ре12 019. Результаты расчетов позволили объяснить существование у 8г4хЫЬ|702б (0 < х < 0. 3) области гомогенности, прогнозировать повышенную подвижность ионов Бг2+, возможные пути их миграции, наметить варианты улучшения характеристик ионной проводимости.

Теоретически обоснована возможность использования гексаферритов свинца в качестве ионселективных электродов, что подтверждено экспериментально.

Практическая ценность. Для фторидов ЩЗЭ и PbF2 впервые реализованы неэмпирические схемы определения энергии образования и миграции, ответственные за формирование ионной проводимости ( 'www.gdz-mir.ru', 8 ).

Разработанные в работе методики расчета характеристик ионных проводников на базе первопринципных методов являются основой, на которой возможно планирование поиска новых эффективных твердых электролитов.

Апробация работы. Результаты исследований, изложенные в диссертации, были доложены на конференциях, симпозиумах и совещаниях.

Международные научные конференции:

1. International Congress on Analytical, Moscow, 15−21 June 1997.

2. International conference «Novel processes and materials in powder metallurgy», Kiev, 25−28 November 1997.

3. 5-th International workshop «High-temperature superconductors and novel inorganic materials engineering», Moscow, 24−29 March 1998.

4. The Fifth International Symposium on «Systems with Fast Ionic Transport», Warsaw, 22−25 April 1998.

5. X международный симпозиум по химии неорганических фторидов. Фторидные материалы, Москва, 9−11 июня 1998.

6. IV International seminar-school «Evolution of defect structures in condensed matters», Barnaul, 2−7 September 1998.

7. IV Bilateral Russian-German Symposium on «Physics and Chemistry of Novel Materials». Ekaterinburg, February 24-March 1 1999.

8. International conference «Advanced Materials», Kiev, Ukraine, 4−6 October, 1999.

12

Всероссийские научные конференции и конференции стран СНГ:

1. Всероссийская конференция «Химия твердого тела и новые материалы& quot-, Екатеринбург, 14−18 октября 1996.

2. IV семинар РФФИ «Химия твердого тела и физико-химия поверхности& quot-, Екатеринбург, 15−17 апреля 1997.

3. Всероссийская научно-практическая конференция «Оксиды. Физико-химические свойства и технология& quot-, Екатеринбург, 27−31 января 1998.

4. X школа-симпозиум «Современная химическая физика& quot-, Туапсе, 18−29 сентября 1998.

5. XVI научная школа-семинар & laquo-Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь& raquo-. 15−18 декабря 1998. Ижевск.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 17 печатных работ, в том числе 5 статей в отечественных и иностранных журналах, список которых приводится в конце автореферата.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения- содержит 166 страниц текста, 16 таблиц, 41 рисунок и список литературы из 189 наименований.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

1. На примере фторидов ЩЗЭ отработана методика расчета характеристик ионной проводимости: энергии образования и миграции антифренкелевских дефектов. Полученные значения данных величин воспроизводят экспериментальную тенденцию уменьшения энергии образования и миграции АФД в ряду СаР2, 8гР2, ВаР2, РЬР2.

2. Определена электронная структура фторидов ЩЗЭ и фторида свинца с антифренкелевскими дефектами. Обнаружено влияние релаксации АФД на появление в запрещенной щели электронных состояний Р и Н-центров. На основе первопринципных расчетов уточнено строение Н-центров.

3. Впервые на основе первопринципных расчетов обнаружены эффекты коротко-действующего притяжения между АФД и понижения энергии образование дефектов при увеличении их концентрации в СаР2, 8гР2, ВаР2, РЬР2, приводящие к переходу в суперпроводящее состояние. Вычислены температуры перехода в суперионное состояние для РЬР2 и СаР2.

4. Эффекты ковалентности приводят к смещению атомов фтора РЬР2 из тетра-позиций в тригональные междоузлия, а в бинарных фторидах СаР2-МР3, М = У, Ьа, Ьи — междоузельных атомов фтора в положения на бинарных и тройных осях симметрии.

5. Впервые получена полупроводниковая электронная структура для трех модификаций оксида висмута. Показано, что для 6-В2Оз модель Вилиса предпочтительнее модели Силлена. Пониженная стабильность флюоритной структуры 8-В2Оз вызвана антисвязывающим характером 6бВ1, 2рО состояний на уровне Ферми. Предложены методы её стабилизации. На основе первопринципных расчетов показана предпочтительность движения ионов кислорода по тригональным позициям флюоритной структуры 5-В2О3. 6. Определены электронная структура, химическая связь и относительная стабильность модификаций оксида циркония. Установлено влияние добавок оксидов кальция и иттрия на зонную структуру кубической фазы оксида циркония. Первопринципными расчетами доказано существование диполей (Са-У, У-У-У) в системах ХгОг-СаО, гЮо-УО. з- Причиной понижения ионной проводимости 7Ю2-СаО, 2Ю2-У01.5 при увеличении концентрации допирующего оксида является эффект кластеризации диполей, а в системах ТЮ2-У01. 5, Се02-У01. 5, Се02-Са0 — понижение содержания хорошо проводящей флюоритной фазы.

7. Для восстановленного оксониобата стронция Б^Мэ^Огб зона проводимости состоит из 4<3 состояний №>, а валентная зона — из гибридизированных ЫЬ4< ����������������������������������������������������������������������������

������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������

����������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������

����������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������

������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������

����������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������������

Показать Свернуть

Содержание

1. ОБЗОР ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ РАБОТ.

1.1. Кристаллическая структура простых и двойных оксидов и фторидов: СаР2, ВаЕ2, 8гР2, РЬР2, 6-В1203, Сах02. х, ZrUxУх02а. 5×13 1. Экспериментальные исследования транспортных свойств простых и сложных фторидов и оксидов.

1.3. Термодинамический подход в изучении суперионных проводников. Квазихимическая теория Хюбермана-Гуревича.

1.4. Теоретические исследования электронной структуры, химической связи и ионной проводимости 'дростых и сложных фторидов и оксидов.

1.5. Постановка задачи, выбор методов исследования.

2. МЕТОДЫ РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ И ХАРАКТЕРИСТИК ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ В ИОННЫХ ПРОВОДНИКАХ.

2.1. Методы теории функционала электронной плотности.

2.2. Метод ЛМТО в приближении сильной связи.

2.2.1. Основные приближения.

2.2.2. Основные соотношения.

2.2.3. Гамильтониан и матрицы перекрывания.

2.2.4. Потенциал и полная энергия.

2.3. Расширенный метод Хюккеля (РМХ).

2.4. Методика расчета.

3. РАСЧЕТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ ФТОРИДОВ ЩЕЛОЧНОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ФТОРИДА СВИНЦА, АНАЛИЗ ОПТИЧЕСКИХ И ТРАНСПОРТНЫХ СВОЙСТВ.

3.1. Электронная структура идеальных кристаллов фторидов ЩЗЭ, РЬР и кристаллов с дефектами. Строение Н-, Б-центров.

3.2. Энергии образования антифренкелевских дефектов. Взаимодействие между антифренкелевскими дефектами.

3.3. Характер химической связи во фторидах ЩЗЭ и фториде свинца.

Эффекты ковалентности.

Выводы к главе 3.

4. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА, ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ И ИОННАЯ

ПРОВОДИМОСТЬ ПРОСТЫХ И ДВОЙНЫХ ОКСИДОВ со

СТРУКТУРОЙ ФЛЮОРИТА.

4.1. Электронная структура и химическая связь в полиморфных модификациях оксида висмута (а-В12Оз, (3-В12Оз, 8-Ш20з). ЮЗ

4.2. Особенности гибридизации в 5-В1203 и характеристики ионной проводимости.

4.3. Электронная структура и химическая связь в полиморфных модификациях 2Ю2 и 2Ю2-СаО, 7Ю2-У01.5.

4.4. Механизм ионного транспорта и природа экстремального изменения ионной проводимости твердых электролитов на основе 2г02 и в ряде родственных систем.

Выводы к главе 4.

Сокращения.

АФД — антифренкелевский дефект ККР — метод Корринга-Кона-Ростокера JIKAO — линейная комбинация атомных орбиталей J1MTO — линейный метод «muffin-tin» орбиталей JIMTO-ПАС — линейный метод «muffin-tin» орбиталей в приближении атомных сфер

J1MTO-CC — линейный метод «muffin-tin» орбиталей в приближении сильной связи

ЛППВ-ПП — полно-потенциальный метод линеаризованных присоединенных плоских волн МЗП — малликеновская заселенность перекрывания МД — метод молекулярной динамики МС — метод молекулярной статики

МТ- «muffin-tin» орбиталь ОПВ — метод ортогональных плоских волн ПМД — методы первопринципной молекулярной динамики ППВ — метод присоединенных плоских волн ППДП — метод полного пренебрежения дифференциальным перекрыванием ПС — плотность состояний РЗЭ — редкоземельный элемент РМХ — расширенный метод Хюккеля ТФЭП — теория функционала электронной плотности ФД — френкелевский дефект ФЭЛ — функция электронной локализации ЩЗЭ — щелочноземельный элемент ЭГТР — электронный парамагнитный резонанс

Список литературы

1. Chadwick A.V. // Solid State 1. nics. -1983. -V. 8, № 3. -P. 209.

2. Hayes W. Crystals with the fluorite structure. -Clarendon: Oxford, 1974, 472p.

3. Ed. S. Geller. Solid Electrolytes. -New York: Springer-Verlag, 1977, 229p.

4. Hagenmuller P. Inorganic solid fluorides. Chemistry and physics. -N. Y: Academic Press, 1985, 628p.

5. Гуревич Ю. Я., Иванов-Шиц A.K., Харкац Ю. И. Проблемы теории твердых электролитов. // Успехи химии. -1981. -T. L, вып. 11 -С. 1960.

6. Хладик. Дж. Физика электролитов. Процессы переноса в твердых электролитах и электродах. -М.: Мир, 1978, 555с.

7. Чеботин В. Н., Перфильев М. В. Электрохимия твердых электролитов. -М.: Химия, 1978, 312с.

8. Укше У. А., Букин Н. Г. Твердые электролиты. -М.: Наука, 1977, -176с.

9. Чеботин В. Н. Физическая химия твердого тела. -М.: Химия, 1982, 320с.

10. Лидьярд А. Ионная проводимость кристаллов. -М.: Мир, 1962, 222с. Н. Мурин А. Н. Химия несовершенных кристаллов. -Л. :ЛГУ, 1975,270с.

11. Scrocco М. // Phys. Rev. B-Condensed Matter. -1985. -V. 32, № 2 -P. 1301.

12. Hayes W., Kunz A.B.,. Koch E.E. // J. Phys.C. -1971. -V. 4, № 10. -P. 1200.

13. Немошкаленко B.B., Алешин В. Г., Брытов И. А., Сидорин К. К., Ромащенко Ю. Н. // Изв. АН СССР, сер. физ. -1974. -Т. 38, № 3. -С. 628.

14. Кирсанов В. В. Исследование примесных дефектов методами машинного моделирования. // Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ. -JL: Наука, 1980. -С. 115.

15. Shuk P., Wiemhofer H.D., Gopel W. // Z. Anorg. Allg. Chem. -1997. -V. 623, № 5. -P. 892.

16. Galtayries A., Sporken R., Riga J, Blanchard G, Caudano R. // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. -1998. -V. 88. -P. 951.

17. Кирсанов В. В. Исследование примесных дефектов методами машинного моделирования. // Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ. -JL: Наука, 1980. -С. 115.

18. Плишкин Ю. М. Методы машинного моделирования в теории дефектов кристаллов. // Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ. -Л.: Наука, 1980. -С. 77.

19. Sangster M.J.L., Atwood R.M. // J. Phys.C.: Solid State Phys. -1978. -V.l 1, № 8. -P. 1541.

20. Вараксин A.H., Хайменов А. П. Методы моделирования на ЭВМ ионной проводимости твердых электролитов. // Ионный и электронный перенос в твердофазных системах. Екатеринбург. -1992. -С.З.

21. Bboyett R. E,. Ford M. G, Сох P.A. // Solid State Ionics. -V. 81, № 1. -1995 -P. 61.

22. Fesher C.A.J., Islam M.S., Brook R.J. // J. Solid State Chem. -1997. -V. 128, № 1. -P. 137.

23. Bingham D., Cormack A.N., Catlow C.R.A. // J. Phys. :Condens. Matter. -1989. -V. l, № 7. -P. 1213.

24. Car R., Parrinello M. // Phys. Rev. Letters. -1985. -V. 55, № 22. -P. 2471.

25. Brommer K. D., Needels M., Larson В. E., and Joannopoulos J. D. // Comput. Phys. -1992. -V.7. -P. 350.

26. Stich I., Payne M. С., King-Smith R. D., Lin J. S. and Clarke L. J. // Phys. Rev. Letters. -1992. -V. 68. -P. 1359.

27. Wiggs J. and Jonsson H. // Comput. Phys. Commun. -1995. -V. 87. -P. 319.

28. Kulkarni R. V., Aulbur W. G. and Stroud D. // Phys. Rev. B. -1997. -V. 55. -P. 6896.

29. Krakauer H., Posternak M. and Freeman A. J. // Phys. Rev. B. -1979. -V. 19. -P. 1706.

30. Weinert M ., Math Journ. // Physics. -1981. -V. 22. -P. 2433.

31. Glassford К. M., Troullier N., Martins J. L. and Chelikowsky J. R. // Solid State Commun. -1990. -V. 76. -P. 635.

32. Glassford К. M. and Chelikowsky J.R. // Phys. Rev. B. -1992. -V. 46. -P. 1284.

33. Andersen О. -K., Jepsen O. // Physica B. -1977. -V. 91. -P. 317.

34. Andersen О. -K. // Phys. Rev.B. -1975. -V. 12. -P. 3060.

35. Cheetham A. K., Fender B.E.F., Cooper M.J. // J. Phys. С: Solid State Phys. -1971. -V. 4. -P. 3107.

36. Steele D., Childs P.E.F. // J. Phys. C.: Solid State Phys. -1972. -V.5. -P. 2677.

37. Бокий Г. Б. Введение в кристаллохимию. -М.: Изд. МГУ, 1954, 367с.

38. Harwig H.A. // Z. Anorg. Chem. -1978. -V. 444. -P. 151.

39. Sillen L.G. // Ark. Kemi. Mineral. Geol. -1937. -A 12. -P.l.

40. Gattow G., Schutze H. // Z. Anorg. allg. Chem. -1964. -V. 328. -P. 44.

41. Willis B.T.M. // Pros. Roy. Soc.A. -1963. -V. 274. -P. 134.

42. Zubkov V. G., Pereliaev V. A., Tyutyunnik A. P., Kohler J., Simon A., Svensson G. // J. Alloys and Compounds. 1997. -V. 256. -P. 129.

43. Зубков В. Г. Синтез, кристаллическая структура и химическая связь в соединениях с конденсированными кластерами из монооксиданиобия. // Диссертация доктора химических наук. -Екатеринбург: ИХТТ УрО РАН. -1996. -С. 222.

44. Зубков В. Г., Переляев В. А., Тютюнник А. П., Концевая И. А., Макарова О. В., Швейкин Г. П. // ДАН. -1992. -V. 325. -С. 740.

45. Левин Б. Е., Третьяков Ю. Д., Летюк Л. М. Физико-химические основы получения, свойства и применение ферритов. -М.: Металлургия, 1979, 467с.

46. Хек К. Магнитные материалы и их техническое применение. -М.: Энергия, 1973, 304с.

47. Мишин Д. Д. Магнитные материалы. -М.: Высшая школа, 1991, 373с.

48. Яковлев Ю. М., Гурделев С. Ш. Монокристаллы ферритов в радиоэлектронике. -М.: Советское радио, 1973, 360с.

49. Журавлев Г. И. Химия и технология ферритов. -Л.: Химия, 1970, 192с.

50. Adelskoid V. // Arkiv for kemi Mineralogi och Geologi. -1938. -Bd. l2A, № 29. -S.l.

51. Смит Я., Вейн X. Ферриты. -М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1962, 504с.

52. Алешко-Ожевский О.П., Фаек М. К., Ямзин И. И. // Кристаллография. -1969. -Т. 14, Вып.З. -С. 447.

53. Obradors X., Collomr А., Pernet М., Samaras D., Joulert J.С. // J. Sol. State Chem. -1985. -V. 56, № 2. -P. 171.

54. Mountvala A.J., Ravitz S.F. // J. Am. Cer. Soc. -1962, -V. 45, № 6. -P. 286.

55. Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов. -M.: Мир, 1969, 654с.

56. Hayes W., Lambourn F.R. // Solid State Phys. -1973. -V. 6, № 1. -P. 11.

57. Iton N., Tanimura K. // J. Phys. Chem. Solids. -1990. -V. 51, № 7. -P. 717.

58. Lewandowski A.C., Wilson T.M. // Phys. Rev. B. -1995. -V. 52, № 1. -P. 100.

59. Стоунхем A.M. Теория дефектов в твердых телах. Т.2. -М.: Мир, 1978, 360с.

60. Derrington С.Е., O’Keeffe М. // Nuture Phys. Sci. -1973. -V. 246, № 19. -С. 44.

61. Schoonman J., Dirksen G.J., Blasse G. // J. Solid State Chem. -1973. -V.7. -P. 245.

62. Cooper M.J., Rouse K.D. // Acta Crystallographica. -197. -V. A27, part6. -C. 622.

63. Cooper M.J., Rouse K.D., Willis B.T.M. // Acta Crystallographica. -1968. -V. A24, part5. -P. 484.

64. Schoonman J. // Solid State Ionics. -1980. -V. l, № 1,2. -C. 121.

65. Жук П. П., Вечер A.A., Самохвал B.B. // Вестник Белорусского ун-та. -1984. -V.2. -Р.8.

66. Subbarao Е.С., Maiti H.S. // Solid State Ionics. -1984. -V.l 1. -P. 317.

67. Harwig H.A., Weenk J.W. // Z. Anorg. Chem. -1978. -V. 444. -P. 167.

68. Lawless W.N. // Solid State Ionics. -1992. -V. 52, № 1−3. -P. 219.

69. Koehler E.K. // Ceramics International. -1984. -V. 10, № 1. -P.3.

70. Koehler E. K. // Ceramics International. -1984. -V. 10, № 2. -P. 66.

71. Koehler E. K. // Ceramics International. -1985. -V.l 1, № 1. -P.3.

72. Badwal S.P.S. // Solid State Ionics. -1992. -V. 52, № 1−3. -P. 23.

73. Tien T.Y., Subbarao E.C. // J. Chem. Physics. -1963. -V. 39. -P. 1041.

74. Ходос М. Я., Черкашенко B.M., Кривошеев H.B., Галахов В. П., Немнонов С. Н., Курмаев Э. З., Губанов В. А. // Известия Академии наук. Неорганические материалы. -1985. -V. 21. -Р. 2059.

75. Власов А. Н. // Электрохимия. -1989. -XXV. -Р. 699.

76. Li P., Chen I-W., Penner-Hahn J.E. // Phys. Rev.B. -1993. V. 48. -P. 10 063.

77. Shen T.S., Tien T.Y., Chen I.V. // J. Am. Ceram. Soc. -1992. -V. 75. -P. 1108.

78. Yoshimura M. // Bull. Am. Ceram. Soc. -1988. -V. 67. -P. 1950.

79. Goodenough J.B. // Solid State Ionics. -1997. -V. 94. -P. 17.

80. Вест А. Химия твердого тела. Теория и приложения. Т.2. -М: Мир, 1988,336с.

81. Etsell Т.Н., Flengas S.N. // Chem. Reviews. -1970. -V. 70. -P. 339.

82. Dixon J.M., LaGrange L.D., Merten U., Miller C.F., Porter J.T. // J. Electrochemical Soc. -1963. -V.l 10. -P. 276.

83. Курумчин Э. Х. Кинетика обмена кислорода в электрохимических системах на основе твердых оксидных электролитов. // Диссертация д.х.н. -Екатеринбург: Институт электрохимии УрО РАН, 1997, 459.

84. O’Keefe М. In: The Chemistry of Extended Defects in Nonmetallic Solids, Le Roy E., O’Keefe M. -Amsterdam-London: North-Holland Publish. Com., 1970, 602p.

85. Carter R. E., Roth W.L. In: Electromotive Force Measurements in High Temperature Systems. -Lond.: Inst, of Mining and Metallurgy, 1968, 125p.

86. Thornber M.R., Bevan D.J. // J. Solid State Chem. -1970. -V.l. -P. 536.

87. Зубков В. Г., Переляев B.A., Келлерман Д. Г., Старцев В. Е., Дякина В. П., Концевая И. А., Макарова О. В., Швейкин Г. П. // ДАН. -1990, № 2. -С. 367.

88. Satyanarayana P., Ramana Myrthy S. // Physica Status Solidi. -1984. -V. 84A, № 2. -P. 655.

89. West J.J., Rathe G., Corler E., Was G., Osterhact O. // Philips Tech. Rev. -1952, № 13. -P. 361 (цитировано no 177.).

90. Nepijalo M.L., Zizic O. Tehicka Fizika. (Jougoslaeia). -1978, № 19. -P.5. (цитировано no 177.).

91. Jwauchi К., Ikeda Y. // Physica Status Solidi. -1986. -V. 93A, № 1. -P. 309.

92. Zhukovsky V.M., Bushkova O.V. // Solid State Phenomena. -1994, -V. 36−40. -P. 143.

93. Zhukovsky V.M., Bushkova O.V., Zainullina V.M., Dontsov G.I., Volosentseva L.G., Zhykovskaya A.S. // Solid State Ionics. -1999. -V. 119. -P. 15.

94. Huberman B.A. // Phys. Rev. Lett. -1974. -V. 32, № 18. -P. 1000.

95. Гуревич Ю. Я., Харкац Ю. И. // Итоги науки и техники. Химия твердого тела. -1987. -Т.4. -С.З.

96. Гуревич Ю. Я., Харкац Ю. И. // Успехи физических наук. -1982. -Т. 136, вып. 4. -С. 693.

97. Чеботин В. Н., Цидильковский В. И. // Электрохимия, -1980. -Т. XVI, вып. 5. -С. 651.

98. Kaneco Y., Ueda А. // J. Phys. Soc. Jap. -1988. -V. 57, № 9. -Р. 3064.

99. Айтьян С. Ч., Иванов-Шиц А.К. // ФТТ. -1990. -V. 32, № 5. -Р. 1360.

100. Bingham D., Cormack A.N., Catlow C.R.A. // J. Phys. :Condens. Matter. -1989. -V. l, № 7. -P. 1213.

101. Walker A.B., Dixon M., Gillan M. J. // J. Phys.C. -1982. -V. l5, № 319. -P. 4061.

102. Lindan P.J. D., Gillan M. J. // J. Phys.: Condens. Matter. -1993. -V. 5, № 8. -P. 1019.

103. Tharmalingam K. //Phil. Mag. -1971. -V. 23, № 181. -P. 199.

104. Brass A.M. // Phil. Mag.A. -1989. -V. 59, № 4. -P. 843.

105. Gavartin J.L., Shidlovsaya E.K., Shluger A.L., Varaksin A.N. // J. Phys. Condens. Matter. -1991. -V. 3, № 14. -P. 2237.

106. Kotomin E.A., Stashans A., Kantorovich L.N., Lifshitz A.I., Popov A.I., Tele I.A. // Phys. Rev.B. -1995. -V. 51, № 14. -P. 8770.

107. Heaton R. A., Lin Chun C. // Phys. Rev. B. -1980, -V. C22, № 6. -P. 3629.

108. Эварестов P.A., Мурин И. В., Петров A.B. // ФТТ. -1984. -T. 26, № 9. -P. 2579.

109. Немошкаленко B.B., Алешин В. Г., Панченко М. Т. // Докл. Акад. Наук СССР. -1976. -V. 231, № 3. -С. 585.

110. Старостин Н. В., Шепилов М. П. // ФТТ. -1975. -V. 17, № 3. -Р. 822.

111. Kudrnovsky J., Christensen N.E., Masek J. // Phys. Rev. В. -1991. -V. 43, № 15. -P. 12 597.

112. Старостин H.B., Ганин В. А. // ФТТ. -1973. -Т. 15, вып. 11. -С. 3404.

113. Широковский В. П. // ФММ. -1971. -Т. 32. -С. 935.

114. Grimes R.W., Catlow C.R.A., Stoneham A.M. // J. Phys. Condens. Matter. -1989. -V. l, № 40. -C. 7367.

115. Takegahara K., Kasuya T. // J. Phys. Soc. Jap. -1987. -V. 56, № 4. -P. 1478.

116. Медведева Н. И., Жуков В. П., Губанов B.A. // ФТТ. -1990. -V. 32. -P. 1865.

117. Gubanov V.A., Medvedeva N.I. // Physica B. -1991. -V. 172. -P. 285.

118. Medvedeva N.I., Zhukov V.P., Novicov D.L., Gubunov V.A., Klein B.M. // J. Phys. Chem. Solids. -1996. -V. 57. -P. 1243.

119. Фрейдман С. П., Ходос M .Я., Кривошеев Н. В., Губанов В. А. // ЖСХ. -1986. -V. 27. -P. 24.

120. Соболев А. Б., Хайменов А. П., Вараксин А. Н., Кеда O.A. // Сб. науч. трудов. -Свердловск: УрО АН СССР, 1992, 17с.

121. Jansen H.J.F. // Phys. Rev.B. -1991. -V. 43. -Р. 7267.

122. French R.H., Glass S.J., Ohuchi F.S., Xu Y-N., Ching W.Y. //Phys. Rev.B.: Condensed Metter. -1994. -V. 49. -P. 5133.

123. Stefanovich E.V., Shluger A.L., Catlow C.R.A. // Phys. Rev.B. -1994. -V. 49. -P. 11 560.

124. Ol’khovic G.A., Naumov I.I., Velikokhatnyi O.I. // J. Prys.: Condens. Matter. -1995. -V.7. -P. 1273.

125. Mackrodt W.C., Woodrow P.M. // J. Amer. Ceram. Soc. -1986. -V. 69. -P. 277.

126. Butler V., Catlow C.R.A., Fender B.E.F. // Solid State Ionics. -1981. -V.5. -P. 539.

127. Kohler J., Svensson G., Simon A. // Angew. Chem. Ed. Engl. -1992. -V. 31. -P. 1437.

128. Жуков В. П, Зубков В. Г. // ЖСХ. -1993. -V. 34. -С. 64.

129. Turzhevsky S. A., Novikov D. L., Gubanov V. A., Freeman A. J. // Phys. Rev. В. -1994. -V. 50. -Р. 3200.

130. Туржевский С. А., Губанов В. А. // Сверхпроводимость. -1991- V.4. -С. 287.

131. Skiver H. L. The LMTO Method, Berlin: Heidelberg: Springer, -1984.

132. Hohenberg P., Kohn W. // Phys. Rev.B. -1964. -V. 136, № 3. -C. 864.

133. Rajagopal A.K., Callaway J. // Phys. Rev.B. -1973. -V. 7, № 5. -P. 1912.

134. Barth U. Von, Hedin L. // J. Phys. C: Solid State Phys. -1972. -V. 5, № 13. -P. 1629.

135. Немошкаленко B.B., Антонов B.H. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Зонная теория металлов. -Киев: Наукова думка, 1985,407с.

136. Немошкаленко В. В., Кучеренко Ю. Н. Методы вычислителтной физики в теории твердого тела. Электронные состояния в неидеальных кристаллах. Киев: Наукова думка, 1986, 296с.

137. Эварестов P.A. Квантовохимические методы в теории твердого тела. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1982, 280с.

138. Andersen ОгК. // Phys. Rev.B. 1975. -V. 12, № 8. -P. 864.

139. Wimmer E., Krakauer H., Weinert M., Freeman A.J. // Phys. Rev.B. 1970. -V. 2, № 8. — P. 2887.

140. Norgett M. J. Yorkshir: Harwell Repot AERE. -1974. R-7650.

141. Kudrnovsky J., Drchal V., Masek J. // Phys. Rev. B. -1987. -V. 35. -P. 2487.

142. Andersen O. -K., Pawlowska Z. and Jepsen O. // Phys. Rev.B. -1986. -V. 34. -P. 5253.

143. Andersen O. -K., Jepsen O. and Sob M., in: Electronic band structure and its applications. Berlin: Springer, 1987, lp.

144. Andersen O. -K., in: The electronic structure of complex systems. -New York: Plenum Press, 1984, P. l 1.

145. Andersen OrK., Jepsen O. // Phys. Rev. Lett. -1984. -V. 53, № 27. -P. 2571.

146. Andersen OrK., Jepsen O., Glotzel D. // Highlights of condensed matter theory. / Ed. F. Bassani, F. Fumi and M. Tosi. -Amsterdam: North-Holland, 1985. -P. 59.

147. Hedin L., Lundqvist B.I. // J. Phys. C: Solid State Phys. -1971. -V.4. № 14. -P. 2064.

148. Gunnarson O., Lundqvist B.I. // Phys. Rev.B. -1976. -13, № 10. -P. 4274.

149. Whangbo M. -H, Hoffmann R. // J. Amer. Chem. Soc. -1978. -V. 100, № 19. -P. 6093.

150. Губанов B.A., Жуков В. П., Литинский А. О. Полуэмпирические методы в квантовой химии. -М.: Наука, 1976, 219с.

151. Zhukov. V., Alvarez S. // New J. Chem. -1995. -V. 19. -P. 1227.

152. Ивановский А. Л., Жуков В. П., Губанов B.A. Электронное строение карбидов и нитридов переходных металлов. -М.: Наука, 1990, 220с.

153. Zhukov V., Boucher F., Alemany P. et al. // J. Inorg. Chem. -1995. -V. 34. -P. 1159.

154. Lambrecht W.R.L., Andersen O. -K. // Phys. Rev. B. -1986. -V. 34. -P. 2439.

155. Lowdin P. -O. //Journ. Chem. Phys. -1951. -V. 19, № 11. -P. 1396.

156. Вараксин A.H. Взаимодействие и миграция точечных структурных дефектов в диэлектриках на основе щелочно-галоидных кристаллов (компьютерное моделирование). -Екатеринбург: УрО РАН, 1997, 128с.

157. Krier G., Jepsen О., Burkhardt А., Andersen O. -K. -Stuttgart: MPI fur Festkorperforshung, 1996.

158. Andersen О. -К., Postnikov А. V., Savrasov S. Yu., // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -1992. -V. 253. -P. 37.

159. Hoffman R. Manuals for extended Huckel calculations. -Ithaca: Cornell University, 1989.

160. Alvarez S. Tables of paremeters for extended huckel calculations. -Barcelona: Universitat de Barcelona, 1989.

161. Pool R.T., Szajman J., Leckey R.C.G., Jenkin J.G., Liesgang J. // Phys. Rev. B. -1975. -V. 12, № 12. -P. 5872.

162. Scrocco M. // Phys. Rev. B. -1982. -V. 26, № 3. -P. 1535.

163. Rubioff G.W. // Phys. Rev. B. -1972. -V. 5, № 2. -P. 663.

164. Beaumont J.H., Hayes W., Kirk D.L., Summers G.P. // Proc. Roy. Soc. Lond. -1970. -V. A315, № 1520. -P. 69.

165. Под ред. М. Б. Саламона. Физика суперионных проводников. -Рига.: Знание, 1982, 315с.

166. Dronskowski R., Blochl P.E. // Journ. of Phys. Chemistry. -1993. -V. 97. -P. 8617.

167. Ivanov-Shits A.K., Sorokin N.I. // Solid State Ionics. -1989. -V. 36. -P. 7.

168. Ivanov-Shits A.K., Sorokin N.I., Fedorov P.P., Solovev B.P. // Solid State Ionics. -1989. -V. 31. -P. 269.

169. Ivanov-Shits A.K., Sorokin N.I., Fedorov P.P., Solovev B.P. // Solid State Ionics. -1989. -V. 31. -P. 253.

170. Sobolev P. // Butll. Soc. Cat. Cien. -1991. -V. XII, № 2. -P. 275.

171. Sobolev P., Alexandrov V.B., Otroshchenco L.P., Fykin L.E. // Arxius de Seccions de Ciencies, I.E.C. -1995. -V. 100. -P. 323.

172. Сабирянов Р. Ф., Мрясов O.H., Ивановский A. JI., Швейкин Г. П. //Металлофизика. -1991. -V. 13, № 10. -С. 77.

173. Сабирянов Р. Ф., Ивановский A. JI. // Металлофизика. -1991. -V. 14, № 6. -С. 7.

174. Отрощенко Л. П., Александров В. В., Быданов H.H., Симонов В. И., Соболев Б. М. // Кристаллография. -1988. -Т. 33, вып.З. -С. 764.

175. Мурадян Л. А., Максимов Б. А., Мамин Б. Ф., Быданов H.H., Сарин В. А, Соболев Б. Н., Симонов В. И. // Кристаллография. -1986. -Т. 31, вып. 2. -С. 248.

176. Debies T.R., Rabalais J.W. // J. Chem. Phys. -1977. -V. 20. -P. 277.

177. George J., Pradeep В., Joseph K.S. // Phys. Status Solidi. А -1987. -V. 103. -P. 607.

178. Agasiev A.A., Zeinally A. Kh., AlekperovS.J., Guseinov Ya. Yu. // Mat. Res. Bull. -1986. -V. 21. -P. 765.

179. Zandienhnadem F., Murray R.A. // Physica B. 1988. -V. 150. -P. 19.

180. Michel D. // Rev. Inter. Hautes. Temp. Refract. -1972. -V.9. -P. 225.

181. Longo V., Podda L. // J. Mat. Sei. -1988. -V. 16. -P. 839.

182. Longo V., Minichelli D., Ricciardiello F. // Sci. Ceram. -1981. -V. il. -P. 171. 166

183. Becke A.D., Edgecombe K.E. // Journ. Chem. Phys. -1990 -V. 92. -P. 5397.

184. Silvi B., Savin A. //Nature. -1994. -V. 371. -P. 683.

185. V.M. Zhukovsky, T.V. Velikanova, A.L. Podkorytov, O.V. Bushkova, V.A. Potapov, V.M. Zainullina. // Inernational congress on Analytical chemistry: abctracts, Moscow, 1997, G55.

186. R.D. Shannon, C.T. Prewitt. // Acta Cryst. -1969. -B26. -P. 925.

187. Savrasov S. Yu., Savrasov D. Yu. // Phys. Rev. B. -1992. -V. 46. -P. 12 181.

188. Pisani C., Dovesi R., Roetti C. Hartree-Fock ab initio treatment of crystalline systems. Lecture notes in chemistry, vol. 48. -Springer, Berlin, 1988.

Заполнить форму текущей работой